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以下全部针对接口eTMR_DRV_UpdatePwmChannel。

使用MD1的1.3.1版本SDK做eTMR的PWM输出，发现无法输出100%占空比。
此前我们测试过，MC0的接口能输出100%占空比。

调试了下MD1的代码，在尝试输出100%占空比时，函数eTMR_DRV_CalculateDutyCycle内计算出来的firstEdge错误（达到uint32的最大值），导致输出占空比错误。
最终发现如下宏定义：

/* @brief Counter count from 1 */ #define FEATURE_eTMR_COUNT_FROM_INIT_PLUS_ONE (0U)

这个宏定义在MC0的SDK上是1，而且注释写的也是从1开始，但是在MD1的SDK上是从0开始。
将这个宏定义改为1，PWM能正常输出100%占空比。

想问下，这个宏定义在MD1系列的SDK上（1.3.1、1.4.0），是不是搞错了值？预期是1吧？

目前使用的YTM32MD14芯片DEMO只有物理寻址，我这边想要添加功能寻址具体有什么详细步骤吗

YTM32B1LE0x 手动搭建keil开发环境 相关资料在哪找还有官方库在哪下载

你好，我在app区进行二次升级时，已经把keepInBoot=1写入RAM里面了，但是复位后在进入boot区时这个标志位被清除导致无法写入这是为什么
app区域
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重启后进入boot
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大家好，目前客户需要使用到软件安全启动+硬件AB分区切换
现在有两个点需要快速确认，方便客户评估方案可行性
①软件安全启动固件校验一个扇区的时间花费是多少？
②如果只校验一个扇区，从开始运行安全启动流程，到结束正式进入bootloader，时间花费是多少？

谢谢支持

前言与概述 引言

时钟源在现代微控制器（MCU）驱动的嵌入式系统中扮演着至关重要的角色，它是所有数字逻辑、通信接口和定时任务的基石。一个稳定、精确的时钟信号是确保系统可靠运行的前提。虽然MCU内部一般会集成RC振荡器，但由于其频率精度和稳定性受温度、电压等环境因素影响较大，对于需要高精度计时或可靠通信的应用（如CAN通信、LIN通信、精确的时钟定时、高精度测量），外部晶体振荡器（或称无源晶振，Crystal Resonator）因其卓越的频率性能和高稳定性而成为首选。

然而，晶振电路的设计并非简单的元件连接。其稳定性、抗干扰能力和长期性能直接取决于正确的元件选型、精心的电路设计、合理的PCB布局与布线，以及对环境因素的全面考量。忽视这些细节可能导致晶振不起振、频率漂移或在恶劣环境下失效，从而影响整个系统的功能和可靠性。

本应用笔记的宗旨

本笔记旨在为硬件设计工程师和嵌入式软件工程师提供一套完整、详尽、可操作的晶振电路设计方法论。文档内容覆盖从石英晶体的物理原理、电气等效模型、关键参数选型，到核心的振荡裕量计算与验证，再到指导性的PCB布局最佳实践和长期稳定性考量。本指南强调将理论知识与实践经验相结合，提供可量化的指标和可验证的流程，旨在帮助工程师构建稳定可靠的MCU时钟电路，并有效应对和解决实际应用中可能遇到的各种挑战。

晶振工作原理与等效电路模型 石英晶体的物理特性

石英晶体之所以能被用作高精度时钟源，核心在于其独特的压电效应。当对石英晶片施加外部电场时，晶片会发生机械形变；反之，当晶片受到机械形变时，其表面会产生电压。这种电能与机械能之间可逆的相互转换机制，使得晶体在特定频率下能够产生高品质的机械共振。在振荡电路中，晶体谐振器利用这一特性，将电能转换为机械振动，并在其固有共振频率上实现振荡，从而产生一个非常稳定和精确的时钟信号。

石英晶体的共振频率主要取决于其物理尺寸、形状和切割方式。例如，用于手表等低频应用的晶体通常被切割成音叉形状，而高频晶体则常被切成简单的方形片状。与其他弹性物质相比，石英晶体的优越之处在于其弹性系数和尺寸随温度变化甚微，这使得其频率特性在宽温范围内表现出卓越的稳定性。

晶振的电气等效电路模型

为了便于电路分析和设计，石英晶体的物理共振特性可以被模拟为一个由电阻、电感和电容组成的电气等效电路模型。这个模型由两部分组成：

晶振的电气等效电路模型

动态支路（串联支路）：由动态电感 $L_m$、动态电容 $C_m$ 和等效串联电阻（ESR）$R_m$ 串联组成。这一支路精确地模拟了晶体谐振器的机械振动特性。其中，$L_m$ 模拟了晶体的质量，$C_m$ 模拟了其弹性，而 $R_m$ 则模拟了机械振动中的能量损耗。

静态支路（并联支路）：由一个静态电容 $C_0$ 组成。该电容代表了晶体电极、引脚以及封装本身所固有的寄生电容。

该等效电路模型有两个重要的共振点：

串联共振频率 $f_s$：由动态支路的 $L_m$ 和 $C_m$ 决定。在 $f_s$ 处，晶体的阻抗达到最小值。 并联共振频率 $f_p$：由 $L_m$、$C_m$ 和 $C_0$ 共同决定。在 $f_p$ 处，晶体的阻抗达到最大值。在MCU应用中，晶体通常工作在串联共振频率和并联共振频率之间，呈感性阻抗。

对这一等效电路模型的深入理解是晶振电路设计的基石。等效串联电阻（ESR）$R_m$ 直接反映了晶体的机械损耗，因此，其值是评估晶体品质和判断其能否稳定振荡的关键参数。此外，外部负载电容 $C_L$ 实际上与晶体的 $C_0$ 共同组成了并联支路的一部分，其总等效电容会影响整个振荡回路的谐振频率。如果实际电路中的负载电容值不匹配晶体数据手册的指定值，振荡频率将偏离标称值，这直接解释了为什么在晶振选型时，负载电容匹配是至关重要的设计环节。

典型振荡电路：皮尔斯振荡器

现今大多数数字电路，尤其是MCU，均采用皮尔斯（Pierce）振荡器电路来产生时钟信号。该电路以其结构简单、性能稳定和成本低廉的优点而被广泛应用。典型的皮尔斯振荡器电路通常包含一个反相器、一个反馈电阻（$R_f$）、一个限流电阻($R_{ext}$)和两个负载电容（$C_{1}$ 和 $C_{2}$）。云途MCU的SCU模块已将反相器和反馈电阻集成到内部，只需在外部连接晶体和两个负载电容即可。

云途MCU有高速的FXOSC和低速的SXOSC，其中FXOSC支持4~40MHz的晶振，SXOSC支持32.768KHz的晶振。两个电路均支持内部反馈电阻，其中高速FXOSC内部反馈电阻约为500kΩ，低速SXOSC内部反馈电阻约5MΩ。

典型振荡电路：皮尔斯振荡器

振荡的发生需要满足巴克豪森准则：总环路增益大于1，以及总相移为360°（或0°）。在皮尔斯电路中，反相器提供了180°的相移，而晶体与两个负载电容组成的π型网络则在谐振频率附近提供了另外180°的相移，从而满足了360°的总相移要求。

电路中各个外部元件的作用如下：

反馈电阻（$R_f$）：将反相器偏置在其线性工作区域，使其成为一个高增益的反向放大器，为振荡提供所需的增益，并确保振荡的持续发生。 隔离电阻（$R_{ext}$）：通常位于反相器输出端和晶体之间。其主要作用是抑制高频杂散振荡，并限制施加在晶体上的驱动功率，以防止晶体被过驱动而损坏或加速老化 。 负载电容（$C_{1}$ 和 $C_{2}$）：与晶体共同构成谐振回路，并决定振荡的精确频率。 晶振选型关键参数

正确的晶振选型是晶振电路设计的首要环节。以下是选择晶振时需要重点关注的关键参数。

负载电容（Load Capacitance, $C_L$）

负载电容是指从晶振引脚看出去的有效总电容量。它由外部负载电容（$C_{1}$、$C_{2}$）和电路板走线、MCU引脚等引入的寄生电容（$C_{stray}$）共同组成。晶振数据手册中标注的标称频率是在指定的负载电容值下测得的，因此确保电路中的实际负载电容与晶振的指定值相匹配至关重要。

实际电路中的负载电容计算公式为：

$$C_L = \frac{C_{1} \times C_{2}}{C_{1} + C_{2}} + C_{stray}$$

如果实际负载电容值偏离晶振的标称值，将会导致振荡频率偏离，进而引起频率偏差。例如，当负载电容值过低时，振荡频率会高于标称值；反之，当负载电容值过高时，振荡频率则会低于标称值。在实际设计中，工程师可以通过调整外部电容 $C_{1}$ 和 $C_{2}$ 的值来微调实际负载电容，使其与晶振的标称值相符。

等效串联电阻（Equivalent Series Resistance, ESR）

等效串联电阻（ESR）是晶振机械振动损耗的电气表现，其值越高，晶体振动的损耗越大。如果晶体的ESR值过高，可能会超过振荡电路的驱动能力，导致振荡无法启动或变得不稳定。

在选择晶振时，应确保其ESR值远低于MCU振荡器电路所能承受的最大ESR限制，以获得更好的振荡启动性能和稳定性。通常来说，ESR值越低，晶振的品质越好，振荡裕量也越大。

需要注意的是，用于调节晶振工作幅度的外部电阻$R_{ext}$（隔离电阻）不属于晶振的ESR参数。它是一个外部电路元件，主要用于限制驱动功率和抑制杂散振荡，其阻值不会改变晶振本身的ESR特性。然而，在进行振荡裕量计算时，必须将$R_{ext}$与晶振的ESR串联考虑，因为两者共同构成了振荡回路的总阻抗，直接影响振荡电路的启动能力和稳定性裕量。

驱动功率（Drive Level）

驱动功率是指施加在晶体谐振器上的功率，其单位通常为微瓦（μW）。驱动功率的计算公式为：

$$P = I^2 \times R_e$$

其中，$I$ 是流经晶体的电流，$R_e$ 是晶体的等效内部电阻。

驱动功率对晶振的稳定性和寿命有着直接影响。如果驱动功率过高，可能会导致晶体内部结构损坏，加速其老化过程，从而引起频率漂移或不稳定。例如，对于低频的32KHz音叉晶体，过高的驱动功率可能导致其内部音叉结构物理性损坏。对于MHz晶体，过高的驱动功率则可能引起频率跳变，严重影响系统的稳定性和可靠性。设计原则是在满足振荡起振要求的前提下，驱动功率越低越好，以确保低功耗和长寿命。限流电阻（$R_{ext}$）是控制驱动功率的有效手段。

频率精度与温度稳定性 调整频差（Frequency Tolerance）：表示晶振在理想条件下（如25℃，指定负载电容）所能达到的频率偏差，通常以百万分之一（ppm）为单位。 温度稳定性：指晶振频率随温度变化而产生的漂移。石英晶体热膨胀效应会导致其尺寸和弹性模量改变，进而引起频率漂移。特别是32KHz的音叉晶振，其频率-温度特性通常呈抛物线状。在精密应用中，可以通过软件根据制造商提供的频率-温度曲线来实时补偿温度引起的频率偏差，以提高精度。 晶振选型参数核对表

在晶振选型时，建议使用以下核对表来确保所有关键参数都得到妥善考量。

参数名称 单位 描述 选型注意事项 标称频率 MHz/kHz 晶振的中心工作频率 需与MCU数据手册要求匹配 负载电容（$C_L$） pF 晶振指定的负载电容值 必须与电路实际负载电容匹配，典型值6-15 pF 等效串联电阻（ESR） Ω/kΩ 振荡损耗的电气表现 需远低于MCU振荡器电路最大值 驱动功率（Drive Level） μW 晶体能承受的最大功率 应避免过驱动，通常越低越好 频率容差 ppm 频率与标称值的最大偏差 视应用精度要求选择，典型值±10~50 ppm 温度范围 ℃ 晶振正常工作的温度范围 需满足产品的工作环境要求 封装类型 SMD/DIP 晶振的封装尺寸 需与PCB焊盘和空间要求匹配 振荡裕量（负阻）计算与验证 振荡裕量：稳定性的核心指标

振荡裕量（Oscillation Allowance, OA），通常也用"负阻"($|−R|$)来表示，是衡量振荡电路启动和稳定维持振荡能力的核心指标。它并非一个真实的电阻，而是一个模拟概念，代表振荡电路的增益裕度。一个健康的振荡裕量可以确保电路在各种环境应力（如温度变化导致ESR上升）和长期老化条件下依然能够稳定可靠地工作。

业界普遍建议，振荡裕量应至少为晶振等效串联电阻（ESR）最大值的3到5倍以上，或更保守的5倍以上。如果裕量过低，振荡器可能无法启动，或者启动时间过长，并且对外部干扰和环境变化变得异常敏感。

负阻计算与测量方法

虽然振荡裕量可以通过复杂的理论计算得出，但在实际应用中，工程师更倾向于使用串联电阻法进行直接测量和验证。这种方法简单且可靠。

测量步骤如下：

串联电阻：在晶振和谐振电路之间串联一个可变电阻器（或一系列固定阻值的电阻）。 增加电阻：从0Ω开始，逐渐增大串联电阻的值，并实时监测电路的振荡状态。 确定临界点：记录下振荡恰好停止时的电阻值，该值即为最大串联电阻（$R_{s_max}$）。 计算负阻：此时，振荡电路的负阻值 $|−R|$ 近似等于 $R_{s_max}$。

简易验证法：为了快速验证振荡裕量是否满足最低要求，可以采用一种简化的方法：

准备一个阻值为晶振数据手册中ESR最大值5倍的固定电阻。 将该电阻串联到振荡电路中，注意该电阻应该选择封装较小的电阻，并尽可能靠近MCU的晶振引脚放置，以减小电阻的寄生电容。 如果电路在加入该电阻后仍能正常振荡，则可以认为其振荡裕量大于5倍，满足基本的稳定性要求。

振荡裕量并非一个孤立的参数。它与晶振的ESR以及电路中的外部负载电容、隔离电阻等元件值紧密相关。如果测量得到的负阻过大，可能需要适当增大外部负载电容来降低其值，以优化振荡状态并避免不稳定振荡。反之，如果负阻过小，则可能需要重新审视晶振选型或电路元件值。这一联系揭示了晶振电路中各参数间的相互制约关系，优秀的电路设计需要系统地平衡这些因素，以确保在不同环境下都能维持足够的振荡裕量。

MCU中FXOSC晶振增益的设定

从上面晶振增益裕量介绍中，我们知道晶振的裕量对晶振工作的稳定性有着非常重要的影响，所以云途通用MCU的SCU模块中支持对晶振的震荡电路增益进行调整以适配不同频率和不同型号的晶振，用户需要根据实际晶振参数进行调整。为了更好的适应不同类型的晶振，提高晶振的起振稳定性，在云途配套软件中现在已经支持起振阶段的自动增益扫描功能，在晶振开启阶段，软件会自动遍历所有可用增益值，当晶振起振之后，软件会恢复到用户设置的增益值。

目前M系列和H系列的芯片还支持工作阶段的自动增益调整，这个功能默认开启是开启的，开启之后晶振电路会自动选择合适的增益幅值，此时用户配置的增益大小只对晶振工作幅度进行微调。如果应用中对于晶振工作幅值有要求，可以选择关闭运行阶段的自动增益调整，此时增益寄存器配置会生效，用户可以通过调整增益大小来调整晶振电路的工作幅度。另外对于晶振工作幅度的测量应充分考虑示波器的输入阻抗和电容对测量结果的影响。

对于工作情况的增益配置，建议用户通过对晶振进行匹配度测试，对晶振进行匹配时可以通过调整增益的值和是否开启自动增益来实现最优的晶振增益。如果不具备晶振匹配测试条件，则可以通过如下的方式对晶振进行合理增益的计算。

首先我们将晶振的工作电路等效为如下的形式：

晶振工作电路等效

其中：

对于外部晶振的参数定义：

$ESR$ 为外部晶振的等效串联电阻，可以参考晶振数据手册中的参数 $R_{ext}$ 为连接在XTAL引脚和外部晶振之间的串联电阻，用于限流，需要根据用户实际硬件设计进行选择。 $F$ 为外部晶振的振荡频率 $C_0$ 为外部晶振的并联电容，可以参考晶振数据手册中的参数 $C_L$ 为外部晶振的总负载电容，$C_L = C_S + [ C_1 * C_2 / (C_1 + C_2 ) ]$ $C_S$ 为由于PCB走线产生的引脚杂散或寄生电容，这个值通常可以取5pF或根据实际PCB走线进行估算。 $C_1$, $C_2$ 为EXTAL和XTAL引脚上的外部负载电容，用户实际选择的负载电容值。

此时我们可以计算出$gm_{crit}$的值，计算公式如下：
$$
gm_{crit} = 4 \times (ESR + R_{ext}) \times (2\pi F)^2 \times (C_0 + C_L)^2
$$
然后根据计算出来的$gm_{crit}$的值，我们可以计算出晶振的增益$gm$，计算公式如下：
$$
gm > 5 \times gm_{crit}
$$

$gm$即晶振电路工作所需要配置的MCU的增益值，该值可以通过芯片的DataSheet中获取。例如YTM32B1ME0x芯片的$gm$值可以参考如下表格：

增益设置 Gm (启动时) 单位 最小值 典型值 最大值 0 - - 0 mS 1 1.1 1.3 1.5 mS 2 2.2 2.6 3.0 mS 3 3.3 3.8 4.5 mS 4 2.5 3.0 3.5 mS 5 3.6 4.3 5.0 mS 6 4.7 5.5 6.5 mS 7 5.8 6.8 8.0 mS 8 5.1 6.0 7.0 mS 9 6.2 7.2 8.5 mS 10 7.3 8.5 10.0 mS 11 8.3 9.8 11.5 mS 12 7.6 8.9 10.5 mS 13 8.7 10.2 12.0 mS 14 9.8 11.5 13.5 mS 15 10.9 12.8 15.1 mS

毫西门子（mS）是电导率的单位，其等效单位是毫安培每伏特（mA/V）。

实际计算可以参考如下计算工具：

云途晶振参数计算公式.xlsx.zip

注意当开启自动增益调节时，增益寄存器对晶振的影响会变弱，此时增益寄存器配置的值只对晶振工作幅度进行微调，系统会自动根据需要的晶振幅值对内部增益进行调整，确保晶振持续工作在合适的增益值，系统会根据需要自动调整晶振的震荡幅度，这个策略也保证了晶振的工作寿命。

MCU中SXOSC晶振增益的设定

对于SXOSC晶振(32.768KHz)的增益设定，云途MCU仅支持高增益和低增益两种不同模式的选择，除非应用中对晶振工作幅值有特殊要求，否则建议使用高增益模式。SXOSC晶振模块内部包含一个5M欧姆的内部反馈电阻，所以外部不需要并联额外的反馈电阻。SXOSC的负载电容也应该针对具体的晶振型号和PCB设计进行选择。

SXOSC晶振主要为芯片内部RTC提供参考时钟，可以支持低功耗模式下的连续计时，晶振模块本身功耗较低，可以支持在PowerDown模式持续工作。需要注意的是SXOSC晶振的使能信号为POR复位，也就是一旦开启之后，即使芯片出现PowerDown唤醒、WDG复位等事件，SXOSC晶振依然会持续工作，类似的设计同样用于RTC模块的使能。这样设计的目的是为了确保RTC模块在不受复位和芯片工作模式切换的影响。

SXOSC晶振本身频率较低，正常情况下晶振的起振时间会到1秒左右，为了避免SXOSC起振对系统启动时间的影响，应用中应避免在系统启动阶段等待SXOSC起振完成。

PCB布局与布线设计要点

即使选择了完美的晶振，如果PCB布局不当，仍然可能导致振荡不稳定、频率漂移或完全不起振。PCB布局与布线对于晶振电路的成功至关重要，因为它可以直接影响寄生电容、电感以及对外部噪声的敏感度。

晶振元件布局原则 靠近MCU：晶振、负载电容和任何外部电阻（如隔离电阻）必须尽可能靠近MCU的晶振引脚放置，以最大限度地减少信号走线长度，从而降低寄生电容和对电磁干扰（EMI）的敏感度。 远离噪声源：晶振电路是一个模拟高增益回路，对噪声非常敏感。因此，应将其远离任何高频开关信号、大电流走线、开关电源、大电感、射频电路或嘈杂的数字逻辑电路。 隔离放置：晶振周围1mm范围内应禁止放置任何元件，0.5mm范围内禁止布线或过孔，以防止元件之间的相互干扰。 远离板边：晶振应放置在PCB的中央区域，远离可能因跌落或机械应力而导致形变的板边，以防止晶体内部的物理损坏，同时避免晶振本身工作对PCB边缘产生的EMI辐射。 走线设计规范 走线长度与对称：所有连接晶振、负载电容和MCU引脚的走线应尽可能短。同时，连接两个负载电容到晶振引脚的走线长度应保持对称，以确保振荡回路的平衡性。 避免打孔：晶振的时钟走线是高度敏感的信号线，绝对不能打孔换层。打孔会引入不连续性，增加走线电感和寄生电容，严重影响振荡频率的稳定性和信号完整性。 地线连接：两个负载电容的接地连接点应尽可能靠近，并直接连接到MCU的数字逻辑地平面。走线应尽可能短和宽，以降低电感。 地平面与屏蔽 完整地平面：晶振电路下方必须提供一个完整、连续的地平面作为参考。这个地平面可以提供有效的电磁屏蔽，吸收外部噪声，并为晶振电路提供一个稳定的返回路径，从而降低寄生电容和电感。 地孔隔离（Via Stitching）：为了进一步增强屏蔽效果，可以在晶振走线周围用密集的接地过孔进行包围，形成一个"地包围"的隔离区域。 顶层地平面Keep-out：对于多层板，如果顶层地平面非常充足，建议在晶振下方设置一个"Keep-out"区域，将晶振与其下方的顶层地隔离开。这一做法可以减小寄生电容，并抑制温度传导，防止因温度变化引起的频率漂移。然而，如果顶层地平面不充足，则不建议设置Keep-out，应让晶振与地充分接触。 PCB布局"正误"对比表 正确布局与布线 常见错误布局与布线 后果与分析 晶振和负载电容紧贴MCU引脚放置 晶振和电容远离MCU，走线过长 增加走线寄生电容和电感，导致振荡频率偏离，甚至不起振 晶振下方有完整、连续的地平面 晶振下方地平面被分割或无地平面 阻抗不连续，返回路径不确定，易受噪声干扰，产生EMI 晶振走线两侧用密集地孔包围 走线没有屏蔽，或有嘈杂信号线靠近 易受串扰和电磁干扰影响，导致振荡不稳定 走线不打孔换层 晶振走线打孔换层 增加走线阻抗和寄生电容，影响信号完整性和稳定性 两个负载电容地线短且直接连接到地 负载电容地线长，甚至绕过晶振 增加地线电感，引入噪声，振荡回路不稳定 晶振周围有大面积干净地平面 晶振周围有大电感、电源线等磁感应器件 晶振为敏感器件，易受磁场干扰，影响振荡稳定性 长期稳定性与环境影响

晶振的性能不仅仅体现在启动和短期稳定性上，其在整个产品生命周期内的长期稳定性同样至关重要。温度、老化和机械应力是影响晶振长期稳定性的三个主要因素。

温度特性与热效应

温度变化是导致晶振频率漂移最常见的因素。温度会引起石英晶片的热膨胀，使其物理尺寸发生变化，同时弹性模量也会随之改变。根据晶体的振动频率公式，这些参数的变化将直接导致频率漂移。尤其是在高温环境下，频率漂移通常更为明显。

应对策略包括：

选材与结构优化：选择切割角度和纯度更优的石英晶体，并使用热稳定性好的封装材料。 补偿技术：在需要极高精度的应用中，可采用温度补偿晶体振荡器（TCXO）或恒温晶体振荡器（OCXO）。TCXO通过内部的温度传感器和补偿电路实时调整频率，而OCXO则通过恒温槽将晶体维持在恒定温度下。 软件补偿：利用MCU内部的温度传感器，通过软件算法根据晶体制造商提供的频率-温度曲线进行实时补偿，是更具成本效益的解决方案。云途MCU仅支持对32.768KHz的晶振进行软件补偿，具体的补偿值需要用户根据实际硬件环境进行调整。 晶振电路故障排查与调试 晶振不起振

晶振不起振是时钟电路设计中最常见的故障。其原因通常可以归纳为以下几类：

选型问题：

负载电容（$C_L$）不匹配，导致振荡频率偏离，环路增益不足。 晶振等效串联电阻（ESR）过高，超过了振荡电路的驱动能力。 驱动功率过小或过大。

PCB问题：

布局不当，走线过长或不规则，引入了过大的寄生电容。 接地不良或地平面被分割。 受到来自附近高频信号的串扰或电磁干扰。

质量问题：

晶体本身因生产或焊接过程中的热冲击而损坏。 晶体内部存在杂质或灰尘。 频率偏差或不稳定

当晶振能够起振但频率不准确或不稳定时，通常是以下原因所致：

负载电容不匹配：这是最常见的原因，也是首先需要排查的。可以通过调整外部负载电容（$C_{L1}$ 和 $C_{L2}$）的组合值来微调振荡频率。 驱动功率过高：过驱动可能导致晶体处于不稳定的工作状态，引起频率跳变或不稳定。可以通过在振荡回路中串联一个隔离电阻（$R_d$）来降低驱动功率。 振荡裕量不足：尽管晶体能够起振，但如果负阻裕量太小，电路将变得对环境（如温度、电压变化）异常敏感，导致频率不稳定。通过改变负载电容或隔离电阻可以调整负阻，以优化振荡稳定性。 晶振调试与测试工具

在对晶振电路进行调试和测试时，选择正确的工具至关重要。使用高阻抗、低电容的有源探头连接示波器或频率计是正确的做法。普通的无源示波器探头（通常具有约10 pF的电容）会引入额外的负载电容，严重影响振荡频率和稳定性，导致测量结果失真，甚至可能使原本正常的振荡器停止工作。对于高精度的频率校准，可以采用高稳定度的铷原子钟等外部参考信号源与频率计数器配合，进行精确到 $10^{-12}$ 量级的测量和调试。

常见故障排查表 问题 可能原因 验证方法 解决方案 晶振不起振 1. 负载电容不匹配 检查电容值与晶振数据手册是否相符 调整电容值，并考虑PCB寄生电容 2. ESR过高或振荡裕量不足 通过负阻测量法验证振荡裕量 更换ESR更低或匹配度更好的晶振 3. 驱动功率不当 通过示波器或负阻法评估驱动功率 调整隔离电阻$R_d$的值 4. 焊接或PCB问题 检查焊接点和PCB布局，确保走线短且无干扰 重新焊接或根据本指南重新布局PCB 频率偏差 1. 负载电容不匹配 使用频率计测量实际频率 调整外部负载电容值以微调频率 2. 晶振过驱动 测量驱动功率或观察振荡波形是否失真 增加隔离电阻$R_d$以降低驱动功率 振荡不稳定 1. 振荡裕量不足 采用负阻测量法评估裕量是否充足 优化电路元件值，以获得3-5倍的裕量 2. 外部噪声干扰 使用示波器观察波形是否受到噪声影响 优化PCB布局，增加地平面屏蔽和隔离

本方案基于YT Config Tool开发，使用Vscode+Cmake+Ozone工具链开发编译调试；基于Demo板硬件搭建实施；使用同星科技TC1012P CAN/LIN工具及同星科技TSmaster软件。
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烧录Bootloader
新建YTM32B1MC03的JFLASH工程
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找到Bootloader编译的烧程文件
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加载Bootloader文件
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擦除芯片（或者快捷键F4）
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烧录程序（或者快捷键F6）
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d226326b-944a-499f-ad36-a6af638db7fb-image.png 上下电运行Bootloader
拔掉JLINK烧录器，重新上下电后，板子重新工作，LED按照100ms快速闪烁，程序工作在Bootloader里面。 升级上位机配置
将FlashDriver文件、Application文件、SeedAndKey.dll几个文件放到升级上位机目录下。
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打开升级上位机工程（如上图中.TSProj_x86文件）配置收发ID
45aa0f66-c39f-4794-8fc9-eb3a8489d382-image.png

配置TP时间参数，配置加密dll
6438a816-417d-45ad-b0f1-200d3b1e75ce-image.png
配置FlashDriver和Application和校验方式
8a33cf16-38f8-4cb4-b500-e24496e683db-image.png
配置自动诊断流程
b726c12e-406e-485c-9441-b671b51efb75-image.png
4. 执行升级
4.1 从Bootloader升级
dc21dc68-a986-49b0-a596-453a1e948641-image.png
升级完成后，LED灯1000ms闪烁，运行在Application程序中。
4.2 从Application升级
从Bootloader升级成功运行到Application后，再次点击运行，从Application升级。
1ba1902e-953b-4e91-978d-989d81d4320e-image.png
升级完成后，LED灯1000ms闪烁，运行在Application程序中。
4.3 StayInBoot升级
从Application升级中，是有升级请求标识的（KeepInBootVar变量）。
本方案设计上认为：
运行到Bootloader以后，如果通讯一半断开未发生升级服务（擦除芯片/请求下载/数据传输/下载退出等UDS服务），则即使有升级请求，可以超时退出重新跳转到Application运行；反之则必须StayInBoot等待重新升级。
4.3.1 未发生升级流程请求
升级一半，拔掉CAN线模拟通讯断开，升级失败
0b519b6a-91d3-44a0-b6bf-794829a3652b-image.png
通讯断开超时后，Bootloader重新进入Application运行，Demo板上LED灯1000ms闪烁。
4.3.2 已发生升级流程请求
执行到升级流程后，拔掉CAN线模拟通讯断开，升级失败
d9d0ca85-0330-4f42-b93e-c7196f69ca0b-image.png
通讯断开超时后，Boootloader不能进入Application，执行StayInBoot（重新复位或者上下电等均保持StayInBoot）。
重新执行升级
93dce8d5-9f9f-4619-b11d-62bbfea398c7-image.png
升级成功，Demo板上LED灯1000ms闪烁。
5. 附件代码
uds_can_fbl_mc03_release_20250529_2.zip

发板：ME05
SDK: 1.3.1
1，温度采样通道配置：
查看手册 ME 的temp sensor 通道为29。
580d6325-7e73-417b-9de5-0bc6f9d2b38d-image.png
YCT中需要选择自定义通道配置：
087e1426-88a8-4d4f-a92f-2827637d084b-image.png
然后在生成的代码中手动修改通道值。
628f01bb-bf66-455a-8290-47a6fe0451ef-image.png
2，查看手册，计算温度需要如下参数：
da13ea12-71fd-4bd4-90c4-8bcc33d2c56c-image.png
注意：ME05直接读取OTP地址，会报hardfault。
a823b0e1-5349-4676-a797-7471935d7070-image.png
cb9c2869-3528-4df3-b5b3-27a561727355-image.png
需要使用FLASH API 读取，用到的API 函数为：FLASH_DRV_ReadNVR(uint32_t instance,uint32_t address,uint32_t size,void * dest);
需要在YCT 工程中使能flash模块，并进行初始化：
c5d8d76c-91c9-458d-947a-c197e04b4bdb-image.png
初始化flash配置操作
319ac8d6-adfd-4a7a-8b50-7ea2f71c4104-image.png
在代码中读取coefficient:
dce7c12c-b4c0-453a-91f9-e77604b62fed-image.png
温度计算：
2b5bacf6-b8e9-423b-8c9a-d08e0332d3c9-image.png
计算结果：
f34f1c8a-bc43-4d1b-a909-7b4fb50f2d9f-image.png

c91cb3fd-f4a3-40af-b066-d3c2acb540b5-image.png f69038df-9ecc-44d9-9cc9-136e8822bb27-image.png 8d4578f9-6b01-4761-a906-545bea57030f-image.png 0f3d8ca0-df58-48f9-93b9-b285a9e071db-image.png f65c0afa-8042-4de1-8fdf-494e4d00b15a-image.png

Snipaste_2025-12-08_10-11-09.png
在芯片选型时查阅该款芯片支持SWD调试，但是在YUNTU config工具配置时，提示该MCU不支持JTAG或SWD
1.该芯片是否支持SWD调试？
2.无法被外部触发复位意思是调试器或者外部电路都不能触发么？

MC03 休眠时的电流异常，其中一种原因斯由于存在输入浮空造成的，输入浮空造成休眠电流异常的原理可参考如下说明：
7719c5b2-a4e7-4b21-a9a9-1387f32b707f-image.png
其中有一个管脚需要特别注意一下：
221b1260-36da-4b32-987f-39928eec7671-image.png
这个引脚进入休眠前需要关闭。
如果已经关闭了其他输入浮空引脚，休眠电流还是偏高，可以关闭这个PTA10 引脚再试一下。
另外，进入休眠前建议把不需要的功能引脚全部关闭，退出休眠后再打开，可以进一步降低休眠电流。

本方案基于YT Config Tool开发，使用Vscode+Cmake+Ozone工具链开发编译调试；基于Demo板硬件搭建实施；使用同星科技TC1012P CAN/LIN工具及同星科技TSmaster软件。
ef6fee85-1fcc-4a93-9ee1-2ce15af1891b-image.png

烧录Bootloader
新建YTM32B1ME05的JFLASH工程
bb461804-ef97-4a53-a355-3e5207e163c5-image.png
找到Bootloader编译的烧程文件
文件路径：
.\uds_can_fbl_me05_release_20250730\uds_can_bootloader\build\uds_can_bootloader.s19
5ffee699-aa4e-4d4c-85b3-2431c6ae7474-image.png
加载Bootloader文件
b2df279f-fbb5-4b9d-9e43-c49206d1cb35-image.png
擦除芯片（或者快捷键F4）
7265c86f-9fca-4b38-b8fd-a500c19a3336-image.png
fcdbab1a-dcd2-443e-b0f3-097d0cbf959c-image.png
烧录程序（或者快捷键F6）
e60dd1ce-e8c0-4500-a80c-09d67d0c3cb5-image.png
47deeac3-4018-410f-9ed7-f2524cdff762-image.png 上下电运行Bootloader
拔掉JLINK烧录器，重新上下电后，板子重新工作，LED按照100ms快速闪烁，程序工作在Bootloader里面。 升级上位机配置
将FlashDriver文件、Application文件、SeedAndKey.dll几个文件放到升级上位机目录下。
文件路径：.\uds_can_fbl_me05_release_20250730\UDS_CanFbl_TsMaster
55a30316-22cb-4f15-a0a9-f892288898d6-image.png
打开升级上位机工程（如上图中.TSProj_x86文件）配置收发ID
9a909b8d-a2d8-40c5-a3d6-658967a9dfaf-image.png
配置TP时间参数，配置加密dll
f2076298-285e-4a78-b54c-3bae6e13338c-image.png
配置FlashDriver和Application和校验方式
8d884654-ced9-4988-9074-f41de501f671-image.png
若是修改 flashdriver/app 文件命名，需要修改对应校验的请求值
e8f40f9d-87a2-4ff0-af11-f0873b208c27-image.png
配置自动诊断流程
2f5c0311-349c-4cf7-981d-cbc503403d8a-image.png 执行升级
4.1 从Bootloader升级
1b781e1b-68b3-4387-89ab-605010aabcc6-image.png
升级完成后，LED灯1000ms闪烁，运行在Application程序中（Bootloader程序中LED灯100m闪烁）。
4.2 从Application升级
从Bootloader升级成功运行到Application后，再次点击运行，从Application升级。
de87b80e-cd0a-4111-853a-8ebdff2b6776-image.png
升级过程中，运行在Bootloader程序中，LED灯100ms闪烁，升级完成后，LED灯1000ms闪烁，运行在Application程序中。

4.3 StayInBoot升级
从Application升级中，是有升级请求标识的（KeepInBootVar变量）。
本方案设计上认为：
运行到Bootloader以后，如果通讯一半断开未发生升级服务（擦除芯片/请求下载/数据传输/下载退出等UDS服务），则即使有升级请求，可以超时退出重新跳转到Application运行；反之则必须StayInBoot等待重新升级。
4.3.1 未发生升级流程请求
升级一半，拔掉CAN线模拟通讯断开，升级失败
0319dbad-2707-46f8-acdd-431fd4c42852-image.png
通讯断开超时后，Bootloader重新进入Application运行，Demo板上LED灯1000ms闪烁。
4.3.2 已发生升级流程请求
执行到升级流程后，拔掉CAN线模拟通讯断开，升级失败
aaf00cee-307b-41b2-bdc3-33b8b39b374b-image.png
通讯断开超时后，Boootloader不能进入Application，执行StayInBoot（重新复位或者上下电等均保持StayInBoot）。
重新执行升级
80306f67-cb08-4064-898d-e1dd627e6118-image.png
升级成功，Demo板上LED灯1000ms闪烁。
5. 附件代码
uds_can_fbl_me05_release_20250730.zip

本方案基于YT Config Tool开发，使用Vscode+Cmake+Ozone工具链开发编译调试；
基于Demo板硬件搭建实施；
使用同星科技TC1012P CAN/LIN工具及同星科技TSmaster软件。
1280X1280.JPEG

烧录Bootloader
新建YTM32B1LE05/JFLASH工程
1280X1280.PNG

找到Bootloader编译的烧程文件
文件路径：.\uds_lin_fbl_le05_20251119\uds_lin_bootloader\build\uds_lin_bootloader.s19
1280X1280 (1).PNG
加载Bootloader文件
1280X1280 (2).PNG

擦除芯片（或者快捷键F4）
1280X1280 (3).PNG
fe1c6378-7e21-4277-ab8e-6dd9d520106d.png

烧录程序（或者快捷键F6）
54e7b7de-2b17-45d5-a3c1-2e6fa2211a49.png
a9aa99c7-cd19-4809-94ff-4a30a798cea5.png

上下电运行Bootloader
拔掉JLINK烧录器，重新上下电后，板子重新工作，LED按照100ms快速闪烁，程序工作在Bootloader里面。

升级上位机配置
将FlashDriver文件、Application文件、SeedAndKey.dll几个文件放到升级上位机目录下。
文件路径：.\uds_lin_fbl_le05_20251119\UDS_LIN_TsMaster
2b979793-b75d-47a9-a034-24369b7ccbb1.png

打开升级上位机工程（如上图中.TSProj_x64文件）配置收发ID
2fd903d1-ce9c-4835-9604-a22add635436.png

配置TP时间参数，配置加密dll
897acbe0-6a9a-46e6-b403-210ff4864923.png

配置FlashDriver和Application和校验方式
b84de7ca-01a8-49fc-873b-a82ab11eb2c3.png

配置自动诊断流程
c2fd10cc-e7ed-4a76-900a-537997068252.png

执行升级
4.1 从Bootloader升级
06913126-4e14-4de6-9604-752a3f3042b6.png
升级完成后，LED灯1000ms闪烁，运行在Application程序中（Bootloader程序中LED灯100m闪烁）。

4.2 从Application升级
从Bootloader升级成功运行到Application后，再次点击运行，从Application升级。
8c657c25-b74f-4ae1-8a25-b0fe14e80e06.png

4.3 StayInBoot升级
从Application升级中，是有升级请求标识的（KeepInBootVar变量）。
本方案设计上认为：
运行到Bootloader以后，如果通讯一半断开未发生升级服务（擦除芯片/请求下载/数据传输/下载退出等UDS服务），则即使有升级请求，可以超时退出重新跳转到Application运行；反之则必须StayInBoot等待重新升级。

4.3.1 未发生升级流程请求
升级一半，还未擦除更新 APP 时，拔掉LIN线模拟通讯断开，升级失败
0f8ddf6c-b804-41e0-adf8-e54a5cd19d54.png
通讯断开超时后，Bootloader重新进入Application运行，Demo板上LED灯1000ms闪烁。
再次运行升级，从Application升级，升级成功
463acd89-6f4c-458c-9c77-c16001916d6c.png

4.3.2 已发生升级流程请求
执行到升级流程后，拔掉LIN线模拟通讯断开，升级失败
通讯断开超时后，Boootloader不能进入Application，执行StayInBoot（重新复位或者上下电等均保持StayInBoot），Demo板上LED灯100ms闪烁。
16ba59ed-3067-4283-85a1-fefc23083a98.png

重新执行升级
8e4c9ef1-ed02-4bd4-866b-5d10203f6818.png
升级成功，Demo板上LED灯1000ms闪烁。

附件 YTM32B1LE05 uds lin fbl demo
uds_lin_fbl_le05_20251119.zip YTM32B1LE05 LIN stack（LE0 SDK 1_3_1）（YCT LIN stack 模块需要手动安装插件）
lin-stack_0_9_0(LE0_1_3_1).zip

请教个问题想问一下，就是uds诊断有个 P2server 和p2*server 这两个时间参数在哪设置的？YCT上有直接设置的选项吗？

YTMicro YTM32B1MC03 内部看门狗使用异常情况：
使用方式：
前提：使能内部看门狗，配置超时模式，时钟源LPO32K , 超时周期设置200ms,手动模式
具体配置如下：014170d7-349a-458f-b655-d6389846960b-image.png
MCU进入standby模式，使用lpTMR定时器100ms周期唤醒MCU，在lpTMR定时器通知函数（中断）进行内部看门狗喂狗操作。
现象：MCU会发生复位，复位原因：内部看门狗复位。

本方案基于YT Config Tool开发，使用Vscode+Cmake+Ozone工具链开发编译调试；基于Demo板硬件搭建实施；使用同星科技TC1012P CAN/LIN工具及同星科技TSmaster软件。
dbc523c3-21f4-4d1a-98b3-3b50282fac1a-image.png

烧录Bootloader
新建YTM32B1MD14的JFLASH工程
c609c5a4-00b8-434b-a244-ae5bde77e46e-image.png
找到Bootloader编译的烧程文件
a0b6c9f7-8e07-40e7-aaa4-3076355c8caa-image.png
加载Bootloader文件
3900e9bd-c72e-4bc9-acc3-e2287c796557-image.png
擦除芯片（或者快捷键F4）
156d3954-7e53-4a13-8e5f-026e4a1bff49-image.png
fae94334-266c-4740-969c-f69d2650440e-image.png
烧录程序（或者快捷键F6）
ac129ec4-4b1b-42cc-80ba-44d166e59e25-image.png
6d1d1b5c-28af-444d-84a1-01280c9a14e3-image.png 上下电运行Bootloader
拔掉JLINK烧录器，重新上下电后，板子重新工作，LED按照100ms快速闪烁，程序工作在Bootloader里面。 升级上位机配置
将FlashDriver文件、Application文件、SeedAndKey.dll几个文件放到升级上位机目录下。
3f15b88d-af6f-43f6-b285-877a7d0ca419-image.png
打开升级上位机工程（如上图中.TSProj_x86文件）配置收发ID
ade66a27-609f-4150-8fde-a1f6f0833ec9-image.png

配置TP时间参数，配置加密dll
b8723e3c-c726-4876-b46a-e8e4488d0ec1-image.png
配置FlashDriver和Application和校验方式
95adfb20-50a3-4532-bd58-7b9a69330010-image.png
配置自动诊断流程
6d7f2e9f-73b1-4354-a03a-37f565903759-image.png
4. 执行升级
4.1 从Bootloader升级
b35da6fc-c501-4ebb-9e57-6167a92185d6-image.png
升级完成后，LED灯1000ms闪烁，运行在Application程序中。
4.2 从Application升级
从Bootloader升级成功运行到Application后，再次点击运行，从Application升级。
14c4d1e0-df93-4efb-80f3-fda4130399e3-image.png
升级完成后，LED灯1000ms闪烁，运行在Application程序中。
4.3 StayInBoot升级
从Application升级中，是有升级请求标识的（KeepInBootVar变量）。
本方案设计上认为：
运行到Bootloader以后，如果通讯一半断开未发生升级服务（擦除芯片/请求下载/数据传输/下载退出等UDS服务），则即使有升级请求，可以超时退出重新跳转到Application运行；反之则必须StayInBoot等待重新升级。
4.3.1 未发生升级流程请求
升级一半，拔掉CAN线模拟通讯断开，升级失败
b38f0141-062e-4be3-96d8-74d35fb5f42b-image.png
通讯断开超时后，Bootloader重新进入Application运行，Demo板上LED灯1000ms闪烁。
4.3.2 已发生升级流程请求
执行到升级流程后，拔掉CAN线模拟通讯断开，升级失败
d66fcdc3-fedc-4180-98b0-07e4e5dc9259-image.png
通讯断开超时后，Boootloader不能进入Application，执行StayInBoot（重新复位或者上下电等均保持StayInBoot）。
重新执行升级
e3fce7cf-3ad9-49f9-b415-9d64b295a22b-image.png
升级成功，Demo板上LED灯1000ms闪烁。
5. 附件代码
uds_can_fbl_md14_release_20250530_2.zip

111111111

dddb2077-7278-44ef-a463-0a49867ebfb1-5564885329abde7ba70b3caf6a70ecd.jpg
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蓝色波形为接收数据，gu8_UartDrv_Uart1RxIrqBuf[2]数据多出一次0x55，最开始出现接收数据错乱概率极高，工程仿真跑几秒就能出现一次。然后怀疑中断优先级问题，重新分配优先级，使DMA优先级最高，还是会偶发出现，但是概率变的很低，基本要几分钟才能出现一次。
gu8_UartDrv_Uart1RxIrqBuf原本定义类型为uint8，后面改成uint32，压测一晚上，不复现了，这种情况要怎么解释，大佬们帮忙分析一下。

问题描述：YTM32B1MD1，用的外部晶振32.768，正常工作RTC时间正常加，休眠进入power down模式，到唤醒起来这个过程中，查看RTC日志，时间无变化。
用示波器抓取外部晶振波形，休眠过程中，晶振起振,且对应的RTC_IN Pin脚没有反初始化
下面是RTC的初始化流程
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这个需要在初始化配置时钟的时候，对外部晶振进行相应的配置吗.

客户在进入休眠前，已经把所有中断关闭，且把相关外设都Deinit，但是还是偶发出现不能进入休眠，然后休眠判断超时复位，在软件层面对此客户有下面几点想法：
1.尽管对外设进行了Deinit操作，但仍然不知道是否完全满足MCU进休眠的所有条件，是否可以通过读哪些寄存器的状态，从而精准识别到是否满足MCU进休眠的条件。
2.MCU满足进休眠的条件是哪些，在内核中是怎么判断的？