YunTu Forum

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如图，生成代码后，直接编译报错。

我将pwm配置成双neg捕捉，中断可以正常调用。但通过api读到的数据全为0，查看寄存器发现
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这个寄存器更新的值不对，周期配置的为100us，捕捉下降沿，这个值应该在2EE0左右，还是说这个值是累加的？
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我在进入中断处打断点，channel 7的flag也没有置位，这是导致我最开始说的api读取数据全为0的根本原因。

请问这种情况怎么解决？

由于一些原因,我需要手动配置寄存器来收发发送spi报文(本机做master):
一下是我写参照Spi_SyncTransmit写的发送并接收的函数:

// 给data寄存器填入数据,即等于发送. uint32_t Spi_SendTxData(uint32_t spiIndex, uint32_t data) { SPI_Type* SpiBases[SPI_INSTANCE_COUNT] = SPI_BASE_ADDRS; volatile SPI_Type* BasePtr = SpiBases[spiIndex]; BasePtr->CTRL = 0x5; BasePtr->TXCFG = 0x2000017; BasePtr->CLK = 0xa; BasePtr->TXFIFO = 0x2000002; BasePtr->RXFIFO = 0x2000002; BasePtr->CTRL |= SPI_CTRL_EN_MASK; Spi_Lld_SetIntMode(BasePtr, SPI_RX_DATA_FLAG, TRUE); // 使能rx中断 BasePtr->DATA = data; // 延时 for(int i = 0; i < 1000; i++) {;} return BasePtr->DATA; // 接收数据: 此处一直是0 } // 中断处理 : 此中断进不来. void SPI0_IRQHandler(void) { SPI_Type* SpiBases[SPI_INSTANCE_COUNT] = SPI_BASE_ADDRS; volatile SPI_Type* BasePtr = SpiBases[0]; if (((BasePtr->STS >> SPI_RX_DATA_FLAG) & 1U) == 1) { g_readDa = BasePtr->DATA; } }

逻辑分析仪上,可见SO是有数据的,见下图:
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// 步进电机的spi管理接口. uint32_t Spi_SendCmdToStepMotor(uint32_t cmd) { // uint32_t data = cmd; // Spi_WriteIB(SpiConf_SpiChannel_SpiChannel_1, (const Spi_DataBufferType *)&data); // Spi_SyncTransmit(SpiConf_SpiChannel_SpiChannel_1); // uint32_t readData = 0; // Spi_ReadIB(SpiConf_SpiChannel_SpiChannel_1, (Spi_DataBufferType *)&readData); // return readData; return Spi_SendTxData(0, cmd); }

用Spi_SyncTransmit接口(上面注释中的代码)是正常收发的, 用Spi_SendTxData收不到.
求助,Spi_SendTxData中该如何做才能收到MISO上传输的数据?

Hello,

As I using the example code for FLASH
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The geranated code only has the PFLASH API. for APIs for DFLASH was marked with a macro "FEATURE_EFM_PROGRAM_DATA_CMD_CODE"
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to use these API for DFLASH, do I have to do any configuration in the YT Config Tool? or just simply enable the macro to turn on the APIs?

Thank you

HA0的Demo板有个SAI的耳放输出，但是目前没有SDK的Demo。请问有没有关于这块的DemoCode？谢谢！

如题，Fee初始化通过，没有问题：
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Nvm_ReadAll出现故障：
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随后软件进NvM_UserJobErrorNotification：
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MCAL更新有什么注意事项么，请求帮助。

#if (MCU_NO_PLL == STD_OFF)
while (MCU_PLL_LOCKED != Mcu_GetPllStatus())
{
/* Busy wait until the System PLL is locked */
}
Mcu_DistributePllClock();
#endif

在YTM32Bx系列MCU中，可通过EFM模块ADDR_PROT寄存器对内部Flash进行写保护，ADDR_PROT寄存器中的每个bit被设置为0时，其对应的Flash区域即被写保护。MCU上电后ADDR_PROT寄存器值仅允许从1变为0，而不允许从0变为1，即MCU允许过程中Flash一旦被写保护，则本次运行期间不能被取消写保护。

EFM模块中ADDR_PROT寄存器的初始值来自于MCU内部CUS_NVR Flash中指定位置（详见MCU参考手册），用户可根据自身需求通过写CUS_NVR Flash设置该寄存器的默认值，需注意，若该寄存器默认值被设置为0，则MCU上电后对齐的Flash即被写保护，后续将无法通过JTAG或软件内部的Flash driver对被写保护的Flash进行擦除或编程操作。

此时如果需要解锁被写保护的Flash，则只能通过重置ADDR_PROT寄存器初始值，即擦除重写CUS_NVR Flash中对应位置的值。若MCU内部所有Flash均被写保护，则该MCU无法在向Flash中下载任何程序，此时若需修改ADDR_PROT寄存器初始值，则需新建一个工程用于擦除CUS_NVR Flash，并将该工程所有代码放在RAM中运行.

下面以YTM32B1MD14为例介绍实现过程：

1.在YCT工具中新建工程，并配置YT-LINK模块，删除该模块中Flash中配置的所有sector信息，并在RAM中创建.text段以及.rodata段，用于存储代码及const类型数据。
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2.在main.c中通过如下代码实现CUS_NVR擦除。

uint32_t TestCnt=5; void Test_CusterNvrErase(void) { EFM->CUS_KEY = 0x4dff32; EFM->CMD = 0U; EFM->STS = EFM_STS_FAIL_MASK | EFM_STS_ACCERR_MASK | EFM_STS_UNRECOVERR_MASK | EFM_STS_RECOVERR_MASK | EFM_STS_DONE_MASK; EFM->NVR_ADDR = 0x10000400U; EFM->CMD_UNLOCK = 0xfd9573f5; EFM->CMD = 0x41U; while ((EFM->STS & EFM_STS_DONE_MASK) == 0U) { } if(((EFM->STS&EFM_STS_ACCERR_MASK) != 0)||((EFM->STS&EFM_STS_FAIL_MASK) != 0)) { while(1) {} } } /* USER CODE END 0 */ /** * @brief The application entry point. * @retval int */ int main(void) { /* USER CODE BEGIN 1 */ /* USER CODE END 1 */ Board_Init(); /* USER CODE BEGIN 2 */ Test_CusterNvrErase(); /* USER CODE END 2 */ /* Infinite loop */ /* USER CODE BEGIN WHILE */ while (1) { TestCnt++; if(TestCnt>1000) { TestCnt = 0; } /* USER CODE END WHILE */ /* USER CODE BEGIN 3 */ } /* USER CODE END 3 */ } static void Board_Init(void) { } 通过调试工具将代码下载至MCU运行，然后reset MCU即可完成Flash写保护解锁。

4.注意示例代码中写入的CUS_KEY为MCU默认值，若MCU CUS_KEY被修改，则需根据实际情况写入KEY值。
Erase_CUSNVR.zip

本方案基于YT Config Tool开发，使用Vscode+Cmake+Ozone工具链开发编译调试；基于Demo板硬件搭建实施；使用同星科技TC1012P CAN/LIN工具及同星科技TSmaster软件。
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由于LE04没有PTE6引脚，所以需要将CAN的使能脚短接到GND上

1. 烧录Bootloader

新建YTM32B1LE04的FLASH工程
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找到Bootloader编译的烧程文件
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加载Bootloader文件
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擦除芯片（或者快捷键F4）
66286636-2eef-4193-b610-1a260d065e22-image.png
63d914c6-b96c-40e9-b8cc-4c8d453175df-image.png
烧录程序（或者快捷键F6）
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2. 上下电运行Bootloader

拔掉JLINK烧录器，重新上下电后，板子重新工作，LED按照100ms快速闪烁，程序工作在Bootloader里面。

3. 升级上位机配置

将FlashDriver文件、Application文件、SeedAndKey.dll几个文件放到升级上位机目录下。
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打开升级上位机工程（如上图中.TSProj_x86文件）配置收发ID
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配置TP时间参数，配置加密dll
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配置FlashDriver和Application和校验方式
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配置自动诊断流程
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4. 执行升级 4.1 从Bootloader升级

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升级完成后，LED灯1000ms闪烁，运行在Application程序中。

4.2 从Application升级

从Bootloader升级成功运行到Application后，再次点击运行，从Application升级。
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升级完成后，LED灯1000ms闪烁，运行在Application程序中。

4.3 StayInBoot升级

从Application升级中，是有升级请求标识的（KeepInBootVar变量）。
本方案设计上认为：
运行到Bootloader以后，如果通讯一半断开未发生升级服务（擦除芯片/请求下载/数据传输/下载退出等UDS服务），则即使有升级请求，可以超时退出重新跳转到Application运行；反之则必须StayInBoot等待重新升级。

4.3.1 未发生升级流程请求

升级一半，拔掉CAN线模拟通讯断开，升级失败
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通讯断开超时后，Bootloader重新进入Application运行，Demo板上LED灯1000ms闪烁。
4.3.2 已发生升级流程请求
执行到升级流程后，拔掉CAN线模拟通讯断开，升级失败
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通讯断开超时后，Boootloader不能进入Application，执行StayInBoot（重新复位或者上下电等均保持StayInBoot）。
重新执行升级
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升级成功，Demo板上LED灯1000ms闪烁。
5. 附件代码
uds_can_fbl_le04_release_20250529.zip

请问有没有YTM32B1LE15H0MFMR的热功耗信息，用来做热仿真。

使用软件复位后保留RAM中的数据，复位后无法保存，断点打到SystemSoftwareReset这里，继续运行复位后发现可以保持，是什么原因呢？

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出现这样的提示是啥原因各位大佬
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将dll文件替换成7.98.5就可以了

是否可以提供一个基于Tessy软件的测试工程demo。😊

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1. 前言

参考SDK应用_Secure_Boot 模块配置及应用文档及RM手册中关于安全启动流程的描述，MCU的安全启动分为Normal Boot Mode和Fast wakeup Boot Mode两种，应用中常见的Secure boot启动方案如下：
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本文档将基于以下软、硬件环境，介绍如何实现Fast wakeup，并在最后对比Fast wakeup和Normal Mode的启动时间差异。

硬件环境：YTM32B1HA01 EVB板 软件包：基于YCT工具中提供的Secure_boot_demo实现，SDK版本 1_3_1 软件环境：VScode+GCC 2. Fast wakeup实现 2.1 Fast wakeup实现原理及步骤

此处Fast wakeup功能通过修改Secure_Boot_Demo工程实现。
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具体操作步骤：
1.在YTLINK中划分一个retention RAM分段，用于copy IVT段中的数据。注意：

分段大小：IVT段的大小为1024，retention RAM中的分段长度配置为0x400即可 分段地址： 该RAM段处于retention RAM段中（0x20020000~0x20027FFF） 该段的起始地址需要满足1K（0x400）

本示例中，在地址0x20020000处创建了一个名为“retentionRam”的分段
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Tips:
若用户需要使用YCT工具对生成的hex文件进行加密处理，务必确保增加“retentionRam”分段后编译出的hex文件不包含RAM段，否则YCT工具无法对hex文件进行加密。具体实现方式——

GCC环境：配置分段的noload属性即可
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Keil环境：YT-link中配置的noload属性对keil环境无效，使用Keil的用户可参考论坛帖解决
https://forum.ytmicro.com/topic/607/b1md-mcal-dio例程生成的hex文件为什么有0x1fff8400地址的信息?_=1753772506639

2.向REGFILE->DR[0]写入快速唤醒Tag，0x5A5B6E6F

/* Set fast wakeup tag at REGFILE->DR[0] */ REGFILE->DR[0] = 0x5A5B6E6F;

3.向REGFILE->DR[1]写入预计放入IVT数据的地址，此处应当填入"retentionRam"分段的起始地址0x20020000

/* Set address of IVT table at REGFILE->DR[1], must be retention RAM area, and must be 1K algined */ REGFILE->DR[1] = 0x20020000;

4.copy一份IVT区域的数据存放到"retentionRAM"分段区域

#define FLASH_IVT_ADDR 0x2000800 __attribute__((section(".retentionRam"))) uint8_t Retention_IVT[1024]; /* Copy IVT table to the address which is set at REGFILE->DR[1] */ const uint8_t* pflash_ivt_src = (const uint8_t*)FLASH_IVT_ADDR; memcpy(Retention_IVT, pflash_ivt_src, 1024); 2.2 Fast wakeup功能测试 2.2.1 测试方式

如下图，编辑Secure_Boot_Demo工程，通过EN_FAST_WAKEUP宏控制开启fast wake up功能，通过观测PTB12电平变化确认是否成功启动。
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2.2.2 测试步骤

1.下载并运行Secure_Boot_Prepare的demo工程，将密钥烧录到HCU_Nvr中。
2.编译Secure_Boot_Demo工程，将编译生成的hex文件上传到YCT配置工具中加密，将加密后生成的.bin文件烧录到MCU中，掉电，再重新上电，即可观察到PTB12在反复翻转（如下图），证明MCU可以成功启动。
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在该演示示例中，需要说明：

MCU上电后首次启动走的是Normal Boot Mode，之后的每次复位走的是Fast wakeup。 向MCU中烧录加密后的可执行文件，是因为上电时regfile的DR[0]、DR[1]中没有数据（regfile中的数据掉电不保持），未使能fast wakeup功能 2.3 Fast wakeup与Normal Boot启动时间比对

通过控制EN_FAST_WAKEUP宏来切换Fast wakeup和Normal Boot两种启动模式，测量两种模式对应的启动时间。PTB12的低电平持续时间即为相邻两次调用软件复位函数SystemSoftwareReset函数的时间。
Fast wakeup：7.75ms
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Normal Boot：8.46ms
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以上，可以看出Fast wakeup与Normal Boot启动时间上的差异，二者相差0.71ms，差异不大。
这是因为Secure_Boot_Demo工程校验的flash区域较小，若校验的范围较大，这个时间差异会更明显。

3. 参考代码

HA01_Secureboot__FastWakeup_demo.zip

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你好，我想问一下我在debug的时候点settings时会有这个错误，但是我用管理员身份运行就没有，想问一下有没有什么办法能不用每次都得用管理员运行

客户的项目比较紧急，想在demo板的基础上进行修改，想问问有没有这方面的AD工程文件释放？ 谢谢支持

数据断点介绍

数据断点（Data Breakpoint） 是断点的一种类型，用于监控内存地址及其数据的变化，而不是像普通断点那样仅关注代码执行的位置。

数据断点依赖于MCU的硬件调试模块DWT（Data Watchpoint and Trace），因此并非所有MCU都支持这一特性，其支持的个数也不一样。 Ozone数据断点操作

下面以YTM32B1MD1的GPIO_Interrupt_Demo工程举例：
使用数据断点观察gpioIrqCount在何时被修改：
PixPin_2025-05-26_17-20-25.gif

详细解释如下：
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注意数据断点个数，超过了支持的个数并不能配置成功（可以通过该方式来确认支持的个数）
e57dd71b-833e-434a-a2f4-07f3c33fb6b4-image.png 常见应用场景 调试被应用程序异常破坏的标志或变量 调试堆栈溢出，可以在堆栈栈顶接近栈大小的位置打数据断点 数据断点的地址可以是外设寄存器的地址，可以调试外设寄存器被误修改的场景 注意事项 数据断点对于“DMA对内存的修改”无效 数据断点对于“Debugger对内存的修改”无效

前言： 本文将对云途启动文件（startup.s）进行详细介绍，不同IDE的启动文件大同小异，本文以IAR为例。 介绍云途不同型号芯片的启动时间（从复位到进入main函数，以及时钟初始化完成）。 针对特殊场景需要尽量减少启动时间，本文介绍几种优化方式。 版本：

Config Tool Version：2.7.6
SDK version：1.3.1
IDE:IAR

1. 声明与定义 MODULE ?cstartup EXTERN main EXTERN SystemInit EXTERN RamInit0 EXTERN RamInit1 EXTERN RamInit2 EXTERN VectorTableCopy EXTERN STACK_end PUBWEAK Reset_Handler SECTION .text:CODE:REORDER:NOROOT(2) THUMB MODULE ?cstartup：声明当前汇编模块名为?cstartup，用于链接器识别模块。 EXTERN 指令：声明外部符号（函数），表示这些函数在其他文件（通常是 C 文件）中定义，此处需要调用。包括： main：C 程序入口函数； SystemInit：系统初始化； RamInit0/1/2：RAM 分阶段初始化函数； VectorTableCopy：中断向量表复制函数； STACK_end：栈顶地址（链接脚本中定义）。 PUBWEAK Reset_Handler：定义一个公共弱符号Reset_Handler（复位中断处理函数）。PUB表示可被外部访问，WEAK表示若其他地方有同名强符号，会被覆盖（通常复位向量固定指向此处）。 SECTION .text:CODE:REORDER:NOROOT(2)：定义代码段.text，属性为可执行代码（CODE），允许链接器重排（REORDER），非必需段（NOROOT，未被引用时可被链接器丢弃），优先级为 2。 THUMB：指定使用 ARM 的 THUMB 指令集（16 位指令，更紧凑，适合嵌入式场景）。 2. 复位启动流程 芯片复位后，硬件会自动跳转到复位向量（即Reset_Handler），开始执行以下步骤： 2.1 关闭中断，初始化通用寄存器 CPSID I ;关闭IRQ中断（防止初始化被中断干扰） LDR R1,=0 ;初始化通用寄存器 ...（R2到R7均设为0） MOV R8,R7 ;R8到R12均设为0（R7已为0） ... MOV R12,R7 ;R1-R12全为0 CPSID I：通过修改 CPSR（程序状态寄存器）关闭 IRQ 中断，确保初始化过程不被打断。 因为复位后的通用寄存器R1-R12的值UnKnown，所以要重新初始化，清除寄存器残留值，保证初始状态一致。
509cab12-ec71-4a79-94fa-46ba72a33aec-image.png 2.2 RAM 第一阶段初始化（RamInit0） /* RamInit 0 Stage, focus on ecc init, asm code*/ BL RamInit0 SRAM存储器中的内容在上电之后内容是随机的，其中的有效数据和ECC数据并未建立起关联。此时，如果读取SRAM的内容并进行ECC校验，大概率上是会出现ECC错误的。 在使用支持ECC的SRAM之前，需要手动对SRAM进行初始化操作（循环赋值0x5A，方便辨认）。 另外YT_LINK中的RAM段的POR_ONLY属性就是在RamInit0和RamInit1中完成。读取RCU上电标志位，以判断是否执行这段RAM的初始化。(例如开辟一段空间存放Bootloader和APP的交互信息)
3f3feff0-4279-44d2-b615-cc75694a58e9-image.png 2.3 设置栈顶指针（SP） /* Initialize the stack pointer */ LDR r0,=STACK_end MOV r13,r0 栈是 C 语言运行的基础（用于函数调用、局部变量存储等）。STACK_end是栈的栈顶地址（由链接脚本定义，栈通常向下生长，即高地址向低地址生长）。 此步骤为后续 C 函数调用（如RamInit1）准备栈环境。 2.4 RAM 第二阶段初始化（RamInit1） /* RamInit 1 Stage, focus on copy data,clear bss, c code*/ LDR r0,=RamInit1 BLX r0 注释：RamInit1，用于复制数据段（.data）、清除 BSS 段（未初始化全局变量），由 C 语言实现。 RamInit0是将RAM初始化为统一固定值0x5A，而RamInit1则是将定义在RAM中的全局变量初始化赋值。 有初始值的定义在（.data段），初始化是从FLASH将初始值copy到RAM。另外如果设置了POR_ONLY属性的RAM段在无上电标志位时则不会copy；设置INIT_NULL属性的RAM也不会copy。
0c6e1538-f689-4e24-bcf1-8f7973b19b15-image.png 定义了但未赋值的全局变量则会定义在（.bss）段，会被清零。
e59e886d-f82b-4d7b-965c-5389a005b219-image.png 2.5 复制中断向量表 /* Copy Vector Table for interrupt, c code */ #ifndef __NO_VECTOR_TABLE_COPY /* Call the to copy vector table from flash to ram */ ldr r0,=VectorTableCopy blx r0 #endif

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作用：中断向量表（存储各中断处理函数地址）默认存储在 Flash 程序的起始地址，复制到 RAM 可提高中断响应速度，或支持动态修改向量表。 将中断向量表基地址(SCB->VTOR)偏移到 IVT_RAM_start(由链接脚本定义); 中断向量表在链接脚本中默认1024Byte空间，在程序的起始地址，第一个字是栈顶指针，第二个字就是Reset_Handle的地址，后面是所有中断的地址入口。中断向量表在Vector.s中定义。 可通过宏 __NO_VECTOR_TABLE_COPY 配置是否需要 VectorTableCopy。
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fae1ce37-c753-4d4d-9797-b2a120308a74-image.png 2.6 系统初始化 #ifndef __NO_SYSTEM_INIT LDR r0,=SystemInit BLX r0 ; 调用SystemInit #endif 云途不同芯片的系统初始化内容有些许差异，以HA0为例，会使能FPU（浮点运算单元），Flash的Deep PowerDown Enable，关闭WDG。 可通过宏 __NO_SYSTEM_INIT 配置是否需要 SystemInit。
bb181722-3454-48b7-8e24-3095e246aca2-image.png 2.7 RAM 第三阶段初始化（RamInit2） /* RamInit 2 Stage, focus on others ram init, c code */ LDR r0,=RamInit2 BLX r0 作用：处理前两阶段未包含的 RAM 初始化需求（如特殊用途 RAM），由C语言实现。 如图RamInit2为一个弱函数，用户可以重写（覆盖） 这个函数。
3354cdbc-5dbd-4b62-8aaa-328bdc5ab0b1-image.png 2.8 开启中断，跳转至main /* Unmask interrupts */ CPSIE I /* Call the main routine */ BL main 开启 IRQ 中断，为进入main函数做准备 BL main：跳转到 C 语言的main函数，启动应用程序。 2.9 死循环（main返回后） JumpToSelf: B JumpToSelf END 若main函数意外返回（正常情况下main不会返回），程序会进入死循环，防止跑飞（执行未知地址指令）。 2.10 总结 该启动文件的核心流程是：复位后关闭中断 → 初始化通用寄存器组 → 分阶段初始化 RAM（含 data段 / BSS、扩展 RAM） → 设置栈 → 复制向量表 → 系统初始化 → 跳转至main。整个过程为 C 程序运行准备了硬件环境（RAM、WDG、Flash、中断向量、FPU等等）和软件环境（栈、全局变量），是从硬件复位到应用程序启动的桥梁。 3. 不同型号芯片启动时间

优化等级：Low
基于Helloword demo程序测试:
db770b96-8d52-46d7-a687-6da907646f07-image.png

LE0:

d4010816-923a-4fee-86ef-85d6e9446732-image.png

LE1:

45acf8f4-1e35-4274-8972-6db1273a9fed-image.png

MC0:

06bf7614-b73c-44a2-871f-e978af156664-image.png

MD1:

96ef18f9-c380-4b3a-a730-eea2f646dc70-image.png

MD2:

0a3beceb-2038-49e0-80d2-3a539c68c3c4-image.png

ME0:

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HA0:

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tips:

上述时间仅供参考，因为不同优化等级，不同IDE，启动文件编辑都有可能造成启动时间差异。 HA的RAM是256K，相比于ME0(128K)初始化时间反而更短： 因为 HA0 的内核是M7的并且是按照64bit去赋值RAM的，时间更短。 HA复位后到启动文件执行需要1ms左右，原因是HA有硬件安全启动（MC也有硬件安全启动，但HA流程相较于MC更复杂），增加了耗时。 4. 启动时间优化 在启动时RAM循环赋值可能出现多次从Flash取指令赋值时间较长（指令未对齐），造成启动时间变长的问题，而且具有随机性（低优化等级编译）。 在一些特殊应用中，例如Powerdown周期性唤醒（唤醒即复位），因为要控制功耗，所以需尽可能减少启动时间，下面介绍启动时间优化的方式。 4.1 RamInit0优化

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如上图在每一段RAM赋初值0x5A的前面加上ALIGNROM 4，确保后续代码 / 数据地址满足 4 字节对齐，提高访问正确性和效率。 4.2 RamInit1优化

如下图，使用C语言标准库函数memcopy，和memset代替RAMInit1的循环赋值操作，汇编优化更好：
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4.3 减少RAM初始化 可通过YCT去配置RAM段的Init_Policy属性为NULL，这样就不会初始化这段RAM，当然为了防止RAM_ECC，也不能访问这段RAM，可在正常启动后重新以32bit为单位（ECC机制）向这段RAM写入初始值，就可以正常访问了。 这种方法适用于对RAM需求量小的工况，例如powerdown周期性唤醒，唤醒复位后只需执行少量代码就继续进入powerdown。
1bc02a7f-7f29-4295-970b-e35b74909e56-image.png 4.4 打开I-Cache（HA，MD2）

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HA（M7内核）和MD2系列，也可以打开I-Cache，对于反复用到的指令，比如循环赋值指令，打开I-Cache可提高指令命中率，避免反复访问Flash取指令降低效率。

在启动文件打开I-Cache参考下图代码(HA)，可在进入main函数后关闭I-Cache。
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1、YTM32B1MC03的Flash操作安全电压范围是多少？
2、在多少V以上操作能尽可能的避免ECC问题？