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LPO是32K，16分频， 8000超时，应该是4秒， 无论我怎么改这个超时都是无效的。请问是为什么呢？

[09:48:58.026]收←◆Setup WDG and wait for WDG timeout!
Stop feed and wait for WDG reset.

[09:48:58.495]收←◆System reset by WDG reset!

请问DAPlink是不能烧录ME系列吗。LE和MD，HA系列能使用DAPlink正常烧录调试
测试了keil 5.29和5.39版本（试了两个DAPlink）

下面是报错信息
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使用同样的工程，同样的接线，jlink能正常烧录

看宣传册应该是支持的
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使用pyocd能显示能烧录，但是似乎并没有真正烧录进去（程序没有运行）
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1、SPI HardFault的进入愿因有哪些？ 硬件错误？ 目前通信时偶发HardFault

2、硬件错误是否可以不进入HardFault导致软件复位，有什么清除错误的方法？

YTM32B1LE1_1_3_1 SDK 的 YTM32B1LE1_features.h文件中
#define FEATURE_CAN_HAS_ENHANCE_RX_FIFO (STD_OFF)
为什么是RX fifo是关闭的呢？是否YTM32B1LE1芯片不支持这个功能？

如下图，有用户反馈：

显示有include的warning include的头文件有下划线，有用户不习惯

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使用MC芯片，ETMR会出现输入捕获不正确的问题。

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我想将YTM32B1MD1 100Pin的工程改为64pin的工程，有没有方法可以改芯片型号呢？新建工程把所有配置都一个一个改过去内容很多，比较容易出错

如题，请问我该如何判断LE系列外设在低功耗下能否正常工作或寄存器能够保持，HA系列有Power Modes Table和Wake-up Sources这样的表格，但LE系列似乎没有（也可能是我没有找到）
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大神，帮忙解决下！
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YTM32MC03 有没有ram flashdriver的案例，做boot用的

有客户有批量烧录文件的需求。下面是基于YTM32B1LE14做的通过调用Jflash烧录hex，其他芯片也可做对应修改。
条件：首先需要安装完Jlink并打完对应的云途Patch包后才可以支持下列操作
下面是操作步骤：

1、编写 jlink commander 脚本

首先我们编写一个jlink的脚本文件，内容如下：

connect loadfile D:\len\hex\Gpio_Interrupt_Demo.hex r g q

创建一个文件，使用记事本编辑内容如上，然后保存为down_script.jlink ，注意这个后缀名，它是一个jlink软件可以识别的工程文件。
指令解释如下：
connect  表示 链接目标芯片
loadfile  hex路径，这里就是让jflash加载我们要烧录的hex固件，并启动烧录。
r 表示重启目标芯片
g 表示运行目标芯片
q 表示退出命令行窗口

2、 编写批处理文件

接下来，我们在写一个批处理文件来调用这个jlink的脚本，命名为 download.bat

@echo off set JLINK_PATH="C:\Program Files (x86)\SEGGER\JLink\JLink.exe" set HEX_FILE_PATH="D:\len\hex\Gpio_Interrupt_Demo.hex" set CHIP_MODEL=YTM32B1LE14 %JLINK_PATH% -device %CHIP_MODEL% -if SWD -speed 4000 -CommanderScript down_script.jlink

下面解释一下对应的参数：

@echo off：这行代码关闭命令行回显，使得批处理文件运行时不显示命令本身，仅显示执行结果。

set JLINK_PATH="C:\Program Files (x86)\SEGGER\JLink\JLink.exe"：这行代码设置了一个JLINK_PATH的环境变量，指向J-Link命令行工具的路径。

set HEX_FILE_PATH="D:\len\hex\Gpio_Interrupt_Demo.hex"：这行代码设置了一个名为HEX_FILE_PATH的环境变量，指向要烧录的.hex文件的路径。

set CHIP_MODEL=YTM32B1LE14：这行代码设置了一个名为CHIP_MODEL的环境变量，指定要烧录的芯片型号为=YTM32B1LE14。

%JLINK_PATH% -device %CHIP_MODEL% -if SWD -speed 4000 -CommanderScript down_script.jlink
这一行代码实际执行J-Link命令行工具。具体参数说明如下：
%JLINK_PATH%：调用J-Link工具，可执行文件的路径已在前面定义。
-device %CHIP_MODEL%：指定目标设备型号，这里使用前面定义的YTM32B1LE14。
-if SWD：指定使用的接口类型为SWD（Serial Wire Debug）。
-speed 4000：设置J-Link调试器与目标设备之间的通信速度为4000kHz。
-CommanderScript down_script.jlink：指定要执行的J-Link Commander脚本文件down_script.jlink。

3、运行效果

双击download.bat文件
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1.bit位介绍
bit位位置：
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属性：只写。
bit位功能：当READONLY bit位置1时，Flash只读，不可擦写。当READONLY bit位置0时，Flash可擦写，可读。

2.SDK 1_3_1_HF001更新内容
a.增加关于EFM READONLY bit的feature。
b.在SystemInit与FLASH_DRV_Init中加入了READONLY bit置0的处理；
c.在Flash进行擦写前将READONLY bit置0，在Flash擦写完成后再将READONLY bit置1。
目的：Flash擦写功能只会在Flash进行擦写操作时开启。在其他时间，Flash只读。从而防止在异常情况下对Flash进行篡改，对芯片进行保护。
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3.注意
1.本次更新在初始化时就已将Flash设为只读，可能会导致客户自己研发的Flash驱动使用不了，可客户可参照上述图片，在自研的Flash驱动中加入对于READONLY bit的操作即可。
2.由于该位属性为只写，但在Clock初始化时，存在对EFM的读写操作，所以在SystemInit与FLASH_DRV_Init均加入了置0处理。
3.目前YTM32B1LE0与YTM32Z1LS0系列有此功能，其余系列暂时没有。若后续有其他系列支持会及时在回复区加上。

1.bit位介绍
bit位位置：
934e8991-4f54-4976-9e92-057140e9a49a-image.png
属性：只写。
bit位功能：当READONLY bit位置1时，Flash只读，不可擦写。当READONLY bit位置0时，Flash可擦写，可读。

2.SDK 1_3_1_HF001更新内容
a.增加关于EFM READONLY bit的feature。
b.在SystemInit与FLASH_DRV_Init中加入了READONLY bit置0的处理；
c.在Flash进行擦写前将READONLY bit置0，在Flash擦写完成后再将READONLY bit置1。
目的：Flash擦写功能只会在Flash进行擦写操作时开启。在其他时间，Flash只读。从而防止在异常情况下对Flash进行篡改，对芯片进行保护。
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3.注意
1.本次更新在初始化时就已将Flash设为只读，可能会导致客户自己研发的Flash驱动使用不了，可客户可参照上述图片，在自研的Flash驱动中加入对于READONLY bit的操作即可。
2.由于该位属性为只写，但在Clock初始化时，存在对于EFM的读写操作，所以在SystemInit与FLASH_DRV_Init均加入了置0处理。
3.目前只LE0系列有此功能，其余系列暂时没有。

地址检查过了，时钟，波特率都挑了，调I2C_DRV_MasterSendDataBlocking（）函数，返回值是NACK，卡好几天了，有大佬吗0453b298-0cb7-4d42-95db-3dd868581835-image.png

ADC检测到5V就唤醒，是不是通过中断实现的

Keil中把优化等级改成-O0之后才能实现不适用中断实现的us级别延时，但是这样就会导致其他函数执行的时间变长了，那么应该如何在不改变优化等级的情况下如何实现us级别的延时？
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请问一下MD1的寄存器刷新周期是多少，用户手册和数据手册上没找到

结合云途的片内adc特点，分压电阻具体怎么选比较合适？
输入电压最小7v，最大48v。
电源24v以下，分压后电压是对的，但24v以上，分压后的电压就不准了，现在的分压电阻是75k和4.99k，rate=16.03。

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MCU在启动后运行一到两个小时后会发送PUTDATA函数中直接进入到HARDFAULT中去，试过在UART_ERROR_HANDLE中打断点，但是从来没进去过。调用堆栈和寄存器情况如图。
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在进入错误之前MCU还会发送一段时间的错误数据，之后才会进入到错误中，并且只有头部数据正常。
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下图为异常数据：
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下图为正常数据：
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并且MCU内的数据也能正常接收到这些异常数据：
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该问题困扰了我几天，求指教。