把工程下面的.vscode目录删掉重新生成即可。

MCU内部支持自动增益调节，会维持震荡幅值，幅值不会随温度升高而变小的，MCU内部有反馈电阻，电路图中R335实际可以不接，可以确认实际硬件是否为NC

qinhongkui
可以使用这个api eTMR_DRV_GetCntVal()，在etmr_hw_access.c里面

busoff的中断要看ESR1的BOFFINT标志位
image.png
如果要产生Bus Off Done Interrupt需要使能CAN_CTRL2.BOFFDONEMSK
d25e0669-d846-4737-8bcd-25ff5099733a-image.png

参考附件中简易的uds demo
03_Fbl demo.zip
应用及移植要点可参考以下文章
Mx FBL应用及移植要点.pdf

Lin_GoToSleepInternal有这个函数

检查底层函数发现获取ETMR频率时出现了一个固定的1M，这是干什么用的？
a489ea00450176c0f888eed7b12104f.png

138d4cb0-c0ac-45d2-a3a1-53bfa1b143c2-c45c9ab609907e128a9ee4985564226.png

yt0069 0c3fbb16-1ded-42b7-bfec-f14162bb5cb8-image.png 型号调整了的

参考代码如附件
使用方法

bin_project 目录下是flash driver bin的工程文件，可按照客户需求做修改。

flash driver bin 工程使用CMake，ninja编译（YCT自带）。

VSCode中选择对应芯片编译
733fc890-d596-4a04-9fea-c749cd52683b-image.png
538b8a2f-3452-4c56-a201-7ee917f4fccd-image.png

build目录下会生成对应的文件

如果是在Flash Demo上进行测试：

YCT配置中选择Flash Demo，YCT中关闭Flash模块。
79eed1ce-07a4-42a6-92df-3781e6aca8df-image.png Copy bin_project/build/${CHIP}/fls_drv_bin_data.h，以及bin_project/fls_drv_bin.h到 Flash Demo的APP目录下。 Flash Driver Bin的API和SDK中Flash API几乎一样，只是去掉了instance参数，修改main.c中flash操作语句。 如果是Flash Demo生成IAR工程，需要手动在IAR工程中增加这两个头文件。其他工程不需要直接编译即可。

如果是客户实际使用

Copy bin_project/fls_drv_bin.h到工程里面 注释掉 fls_drv_bin.h中 “#define TEST_BY_ARRAY”，并配置正确的Flash Driver Bin的RAM地址 下载 bin_project/build/${CHIP}/FlashDriver.bin，到RAM固定的地址中。
flash_driver_bin_20240507.zip

开发板12V供电也试了，也不行

客户做过disable jtag的操作吗

还有确保yt-link DATA_FLASH 和 DATA_RAM 有同样的对齐配置，
image.png
image.png

看map文件，你们的对应配置都是4。：
size(block DATA_RAM_block) = 9'456 (0x24f0)
size(block DATA_RAM_rom_block) = 9'452 (0x24ec)

"TEXT_DATA_RAM_rom": 0x24ec DATA_RAM_rom_block 0x1'b9f4 0x24ec <Block> DATA_RAM_rom_start_section uninit 0x1'b9f4 0x0 <internal module> data_rom 0x1'b9f4 0x24ec <Block> Initializer bytes const 0x1'b9f4 0x24ec <for data-1> (used: 0x0) DATA_RAM_rom_end_section uninit 0x1'dee0 0x0 <internal module> - 0x1'dee0 0x24ec "RAM_DATA_RAM": 0x24f0 DATA_RAM_block 0x1fff'1cfc 0x24f0 <Block> DATA_RAM_start_section uninit 0x1fff'1cfc 0x0 <internal module> data_region_start_section uninit 0x1fff'1cfc 0x0 <internal module> data 0x1fff'1d00 0x24ec <Block> data-1 0x1fff'1d00 0x24ea <Init block>

问题应该是：
DATA_RAM_start_section = 0x1fff'1cfc
但是时间数据开始是从0x1fff'1d00开始的，差了4个字节。

可能你们data数据加了一些强制对齐的操作。
解决方法：
修改yt-link，把对齐从4改为16，再试试。

问题已解决：把settings文件删掉重新生成

好的，目前问题已解决

把R9、R20和R21去掉,电流基本OK

李工，您好：
测试机台扫描了芯片，发现这颗芯片晶振管脚测试Leakage Fail了，晶振脚存在漏电现象。
取下寄过来板子的晶振后，在其底部发现了有个焊丝将晶振短路了。
推测可能是长时间的短路造成了晶振管脚硬件损伤漏电了。

image.png

Jacky_tan
YTM32B1MD14 ADC 一次转换最多只能转换8个通道，如果要使用 16 通道，可在转换完成一次 8 通道序列后，修改 DMA 配置，修改序列配置，以转换第二次 8 通道序列。

代码如下图
9255d6b2-cc5e-415d-96b8-250961b5bb13-image.png

结果如图
5e546afa-e7ed-4a3c-9b36-e1b2dc3a10ac-image.png

测试可以正常工作，谢谢，已经share给客户了。