好的谢谢，我已经全部关掉了，但是还是有问题

YQH
按照之前的描述，首先，我关闭了WKU模块，然后我使能了对应IO的中断，并且可以在对应的中断回调里观察到触发中断的计数增加
aa2f4a0b-abbf-46e1-98e2-d36315a1d1a1-PixPin_2025-09-25_10-00-11.png
所以，gpio中断是没有问题的。

然后我在休眠前，Deinit了目前使用的外设，
8d44f3ab-f33d-43f2-baeb-37de4dfe82c3-PixPin_2025-09-25_10-01-56.png
但是实际唤醒后，电流可以看到起来，但是并没有在while里死循环，
a439509a-7c15-4bc7-a956-64837fed4be1-PixPin_2025-09-25_10-06-13.png

image.png由图得知，周期等于MOD值除以CLK_CNT；MOD是16位的，也就是说设置值大于了0xffff，可以通过更改DIV实现：
image.png。DIV最大设置值127

我这里测试没有复现出占空比缺失的现象，你那里占空比是从多少改成多少？
66b1881c-e167-405f-932a-895a44d1ff43-image.png

ME0 的 BVT 位置在 block 的最后一个 sector 吧
你贴的是你的代码段，0x4000 是你程序的 vector table
左右不一样是因为左边的是你没设置 bin 文件的偏移地址吧

image.png

干扰后波形image.png

你说的是这个trngCfgSetting.sampleSize吗? 如果是这个,这不是配值TRNG生成位数的. TRGN模块生成的数据位数是不可修改的, 必须生成RM规定的位数, 读取后软件截取使用需要的位数.

你可以通过YCT上位机生成一个带签名的 .bin 文件，当然也可以自己开发脚本去签名你的应用程序。

都是模拟eeprom，软件算法差异较大
ee_emulation 已废弃，建议使用fee

为了防止OTP误写，可以使用如下MPU的方式保护一下：

static void OtpProtectByMpu(void) { ARM_MPU_Region_t mpuTable[1] = { // BASE SH RO NP XN LIMIT ATTR { .RBAR = ARM_MPU_RBAR(0x10003A00U, ARM_MPU_SH_NON, 1UL, 1UL, 1UL), .RLAR = ARM_MPU_RLAR(0x10003BFFU, 0UL) }, }; ARM_MPU_SetMemAttr(0, ARM_MPU_ATTR( /* Normal memory */ ARM_MPU_ATTR_MEMORY_(1U, 0U, 1U, 0U), /* Outer Write-Through non-transient with read allocate and write not allocate */ ARM_MPU_ATTR_MEMORY_(1U, 0U, 1U, 0U) /* Inner Write-Through non-transient with read allocate and write not allocate */ )); ARM_MPU_Load(0U, mpuTable, 1); ARM_MPU_Enable(MPU_CTRL_PRIVDEFENA_Msk); }

多谢提醒，按您说的，我把初始化部分和常量部分都改为.0f的格式，改完后实测负载率从200us 80~90%降到了200us 65~70%左右。
还有哪些设置会导致负载率增大么？

lin-stack_0_8_4(MC0_1_3_1) (1).zip请参考

Diga a594cedc-f129-472e-bcf4-8a6cf1548949-image.png 直接使用寄存器修改后还是会有22us左右，测试发现不修改发送也会有20us左右的间隔，301d90e1-d819-4e15-b49c-fa213e1a164e-image.png 有办法做到快速的衔接吗