不可以，JFlash 只能擦除 PFlash 区域与 DFlash 区域

Diga 验签文件和工程hex可以合成吗？验签文件是bin格式，而且我看其数据的地址段是完全覆盖了secure boot 固件和应用程序的。

YTM32B1ME05 不支持硬件 AES-GCM 算法 当前安全启动流程是固化的，不可更改算法选择，或修改流程

可以按照这个方式来做，可以用CUS_KEY 作为这个root_key.
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不是很清楚你的问题。
STACK一般情况在函数调用的时候，存储形参及函数中的临时变量。
需要考虑的因素
递归调用深度：如果有递归函数，需要估计最大递归深度

中断和异常处理：考虑中断嵌套的最坏情况
函数参数和局部变量：特别是大型数组或结构体
对齐要求：某些架构有栈对齐要求
安全裕量：通常增加20-50%的安全裕量
对于简单的嵌入式系统,一般：1-4KB；我们的DEMO默认的是1K

ganyongchao 嗯，但是该项目中，MCU的SPI接的是SoC芯片，并非外设芯片。没有外设芯片的demo驱动可以参考

参考这个链接看看，帖子里面的检查项自助检查一遍，另外建议采样率提高到1M。
https://forum.ytmicro.com/topic/444/adc采样漂移或不准问题排查方法?_=1753346348740

自己做个烧录器，带卡座的

⚠️问题出在你的配置上。
你修改了writeAppInfo服务的地址到flash上，并且将App的起始地址改为了 0xB600
但是并没有修改Flash擦除的地址，这就导致在进行下载App的时候，指擦除了 0xB400~0xB400 + AppSize区间的 flash。但是实际下载App的时候是写入到 0xB600~0xB600 + AppSize。所以最后一帧没有擦到，导致写的时候失败了。

✅解决方式
方式一：可以通过新增一个服务，擦除AppInfo区域的flash，起始地址为0xB400，大小可以简单的设置为0x0200。然后修改擦除AppFlash区域的服务起始地址为0xB600。测试是可以正常下载了
方式二：可以通过修改脚本，增加flash地址擦除的大小：
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前面提到的数据写入是成功了的，是由于第一次写入了App的数据，这一次是擦除了芯片的，所以是可以正常写入。第二次下载的时候，由于第一次写入的数据还在，所以看起来是写入成功了

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1、Flexcan 时钟源 peripheral clock 是 FAST_BUS_CLK，可以将 FAST_BUS_CLK 分频至 20MHz，来采用提供的第一行的配置
2、采用 peripheral clock 时钟不精准 CAN 通信质量可能受影响，建议采用 20MHz 外部晶振作为时钟源

ganyongchao 在 YTM32B1MC03/YTM32B1MD14 UDS刷写A/B分区，如何做到交叉升级 中说：

B SWAP分区本质上是切换Block0和Block1的排列和启动次序

好的，感谢

YQH 好的，感谢