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637c4d76-3883-4f75-99e7-eaa0b2ede731-image.png 你好我在论坛里面看到说如果有这个预留结构体的话 会在block头和数据之间加32字节的0xff，但是我怎么去配置他不预留呢。我试了修改了很多配置都会有这个预留字节的啊。

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1. 前言 BootSwap 是一种 A/B 双区启动切换机制，用于在 MCU 的两个 Flash 启动块之间进行切换。 云途芯片 M 系列、H 系列均支持 BootSwap。 BootSwap 的操作本质是对 BOOT_NVR 扇区进行擦写操作。A -> B 和 B -> A 的擦写操作不同，导致 A/B 面切换时间不同，在一些应用中可能带来超时，如诊断超时、看门狗超时等。 本文以 HA01 芯片为例，介绍 BootSwap 的原理、A/B 面切换的时间差异，以及 ABSwap 操作不支持异步的原因。 2. BootSwap原理 YTM32B1HA0 片上集成了 2 片容量为 1M 的 flash，称为 pflash0 和 pflash1，总计 2MB，上电从 Rom Boot启动，按照BVT解析出地址跳转；默认是跳转到到pflash0 起始地址 0x200_0000 启动。 默认情况下，pflash0 被映射在 0x200_0000 开始的地址空间，pflash1 拼接在 pflash0 之后。 当执行了 BootSwap 命令后复位，pflash1 的物理存储被映射到 0x200_0000 开始的地址空间，pflash0 拼接在 pflash1 之后。
86e2b2bb-e4c5-4cbe-af9a-5b887af65885-image.png 2.1 EFM命令和BOOT_INFO 执行 BootSwap 命令的具体操作，就是向 EFM 模块的 CMD 寄存器写入 BootSwap 的命令码 0x30，如下图所示。
8737189b-ead3-4d7b-b01a-6bc6e205f665-image.png 在 EFM 模块的 STS 状态寄存器中，可以通过 BOOT_INFO 标志判断当前 0x200_0000 开始的区域映射在哪块 pflash 上，如下图所示。
07b0d895-2b47-4f1a-b0fe-b276afbc5c72-image.png tips：只有当芯片复位之后，新的设置才能生效。通常在软件中，执行 BootSwap 命令后，再调用NVIC_SystemReset()函数复位生效。 3. 核心一：A/B 面切换时间差异 3.1 原理：写入 vs 擦除 HA01 的 BOOT_NVR 区域视图如下（BOOT_NVR 在 Block0）：
49ca1c01-58cc-4266-adc2-47a6735c08d9-image.png A面 -> B面：EFM 在 STS[BOOT_INFO]=0 的状态下（A面）接收到 BOOT_SWAP 命令时，会向 BOOT_NVR 扇区的前三个地址依次写入 SWAP_TAG（0x5A5A5A5A5A5A5A5A）。
5e9a479e-e3d7-42bb-97a2-48bd05d0c4f1-image.png B面 -> A面：EFM 在 STS[BOOT_INFO]=1 时（B面）收到 BOOT_SWAP 命令，EFM 会擦除 BOOT_NVR 扇区。
ce673841-60e3-49ac-bea7-ea50b1694b62-image.png MCU 复位后的 EFM 硬件初始化过程会读 BOOT_NVR 扇区的前三个地址：如果读回的数据有至少两个等于 SWAP_TAG（0x5A5A5A5A5A5A5A5A），硬件会将 STS[BOOT_INFO] 置 1（0x200_0000 映射到 B 面），表明进入 PFlash 逻辑地址重映射模式；否则 STS[BOOT_INFO] 保持复位值 0（0x200_0000 映射到 A 面）。 3.2 时间数据 STS[BOOT_INFO]=0 的状态下，A面 -> B面 时，EFM 会对 BOOT_NVR 扇区进行写入操作（Program），耗时很短（约82us）。 STS[BOOT_INFO]=1 的状态下，B面 -> A面 时，EFM 会对 BOOT_NVR 扇区进行擦除操作（Erase），耗时较长，擦除一个扇区需要 20ms。
c5515a45-e8fe-44e0-ad40-e4151447ab90-image.png 实测配置如下：
d73d87a6-8146-4a8a-8baa-ceef86e9ac6d-image.png A面 -> B面，耗时78us：
8544a8a0-fbc0-47e4-b33f-0742ffaf48b8-image.png B面 -> A面，耗时约19ms：
3d5d205e-5918-4499-aeac-c32feb148922-image.png 4. 核心二：ABSwap 操作不支持异步 因为 BOOT_NVR 区域和 PFlash0（A面）同在一个 Block0 上，所以从理论上来讲，A面 -> B面 时 EFM 对 BOOT_NVR 区域只能进行同步操作，即对 BOOT_SWAP 区域写入 TAG 需要关闭全局中断，等待写入完成。 而 B面 -> A面 时，程序在 B面（Block1）上运行，对 BOOT_NVR 区域（Block0）是可以异步操作的，即在对 BOOT_NVR 擦除的 19ms 内，CPU 可以异步继续执行别的代码。 SDK 的 ABSwap 操作是统一同步操作：
1a3b27d8-dd23-47de-b0b3-12486cd36bde-image.png 因为 A面 -> B面 只能同步，B面 -> A面 可同步可异步，为了操作统一，SDK 的 ABSwap 只支持同步操作，不支持异步。 5. 小结 A/B 面切换的时间差异源于操作类型不同：A面 -> B面 是向 BOOT_NVR 写入 SWAP_TAG（约 80us），而 B面 -> A面 是擦除 BOOT_NVR 扇区（约 19ms），两者相差两个数量级。 由于 BOOT_NVR 与 A面（PFlash0）同处 Block0，A面 -> B面 只能同步操作；SDK 为统一行为，ABSwap 仅提供同步接口，不支持异步。
bfc29439-02e4-446e-b540-108cd77e2041-image.png tips：在一些对时序要求较高的场景中，要特别注意 A/B Swap 时间差异带来的时序影响。例如诊断帧超时和看门狗超时。 其他系列芯片原理一样（MD1是操作CUS_NVR），BOOT_NVR（CUS_NVR）所属Block和Sector擦除时间不同，都可参考本文进行评估。 6. 测试验证 6.1 环境

Config Tool Version：3.1.0
HA01 SDK version：1.4.1
EVB version: YTM32B1HA0-EVB-LQFP176

6.2 下载说明 在运行用例时，需要进行两次下载：第一次下载程序，下载到从 0x200_0000 开始的 pflash0 中，运行程序后，0x200_0000 地址切换到 pflash1 上，此时还需要再下载一次程序，程序会覆盖到 pflash1 上。 注意，第一次下载程序后运行，从 pflash1 开始启动，pflash1 此时没有可执行的程序，可能会出现“卡死”的状态，此时需要再次下载，无需修改 link 文件将程序地址映射到 pflash1。
Flash_Demo_ABSwap.zip

你好 请问 这个0xA000地址是app的地址，感觉和boot里的地址（0x400~0x103fe）重合了，能解释一下不？035e8b08-54e7-4506-bf68-68c45548a077-502dd861e52bb0f5347ac4269162ea82.png

YTM32B1MD2x 支持硬件加密 (HCU)，目前支持的基础算法有

AES-ECB AES-CBC AES-CMAC SHA-256 RSA-1024/2048/3072/4096 ECC-192/256/384 ECDSA

其中 AES 相关算法仅支持 128-bit 密钥长度
ECDSA 仅支持 任意 ECC-256 曲线 + SHA-256
目前封出 HCU 的静态库，具体如何使用可参考下方 Demo，以及 使用说明

另外，AES 相关算法所使用的密钥可存储在 HCU_NVR (0x1100_1A00 ~ 0x1100_1DFF)，该区域不可读，擦除与编程受 Customer Key 保护。密钥存储单元为 16字节(128-bit)，共可存储 64 组密钥。

RSA 所用到的公钥，或私钥可存储在 RSA_NVR (0x1100_1200 ~ 0x1100_19FF)，该区域不可读，擦除与编程受 Customer Key 保护。密钥存储单元为 512字节 (4096-bit)，共可存储 4 组密钥。

上述提及的 HCU_NVR 与 RSA_NVR 使用方法也在 Demo 中有展示。

YTM32B1MD2x_HCU_Demo.zip

YTM32B1MD2x HCU Demo 使用说明.pdf

LE1系列 使用SDK PWM 输出100%占空比有一个小毛刺 ,这个是什么原因造成的呢

如何做到一个邮箱接受多个ID，有相关配置教程吗，谢谢,请注意是CAN5，RxFifoType里面没有ENHANCE,只有LEGACY

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743aad6c-aea2-44e2-ac33-0fb7d4ba6cb5-image.png const wdg_user_config_t wdg_config0 = {
.clockSource=WDG_SIRC_CLOCK,
.opMode={
.deepsleep=false,
.debug=false,
},
.updateEnable=true,
.intEnable=false,
.winEnable=false,
.windowValue=30000,
.timeoutValue=65535,
.apbErrorResetEnable=0,
};我使用合这个配置去修改超时时间，从数据上看实际值比理论值多2ms。这个2ms初始化是时钟和IO口的时间吗？

一个面向 YTM32B1 MCU 的紧凑型、位置无关（Position-Independent）Flash 驱动，编译为一个小型二进制镜像（FlashDriver.bin）。应用既可将它作为 C 数组内嵌，也可下载到 SRAM，再通过固定的函数表调用。该设计面向引导加载程序（Bootloader）/OTA 场景——当需要擦除、编程正在被修改的 Flash 区域时，驱动代码本身必须运行在别处。

定位与 PIC 优势 位置无关代码（PIC）：镜像以 -fpic -fpie 编译，不含任何绝对地址假设。主机应用从镜像基址（FLS_DRV_BASE_ADDR）处的函数表中解析每个函数入口，因此二进制可被加载到不同的 SRAM/Flash 地址而无需重新编译。 从 SRAM 运行：驱动在 SRAM 中执行，因此可以擦除、编程任意 Flash 区域，包括应用自身所在的区域——这正是 Bootloader/OTA 更新的典型需求。 占用极小：整个镜像（函数表 + 代码 + 常量）必须放入 4 KB 链接区域（link/relative.ld）；当前 YTM32B1ME1 构建产物仅约 856 字节。 单头文件集成：主机侧只需 fls_drv_bin.h（数组模式下另需生成的 data 头文件）。API 签名遵循 SDK Flash 驱动惯例并返回 status_t，覆盖引导加载所需的核心操作（Init/Deinit、扇区擦除、编程、BootSwap）。它是 SDK 驱动的紧凑子集，并非完整替代品。 多芯片一次构建：一次 CMake 调用即可产出全部芯片变体。 注意事项 校验函数表：FLASH_DRV_GetVersion() 应返回 1。否则说明 FLS_DRV_BASE_ADDR 处的镜像不正确（数组未链接，或二进制下载到了错误的 SRAM 地址）。 PRESCALER：在 FLASH_DRV_Init() 之前且每次时钟变更后将 EFM CTRL 的 PRESCALER 配置为 flashClockHz / 2,000,000；以目标芯片 SDK/参考手册为准。 对齐：EraseSector 的 dest/size 为扇区大小整数倍；Program 的 dest/size 为 FEATURE_EFM_WRITE_UNIT_SIZE 整数倍且 pData 4 字节对齐。 先擦除再编程：编程前目标区域必须为 0xFF（已擦除）；操作后回读校验。 SRAM 模式：FlashDriver.bin 必须实际加载到 FLS_DRV_BASE_ADDR 处；地址错误会在首次 API 调用时导致硬错误（Hard Fault）或未定义行为。 链接溢出：若构建报 "region m_text overflowed"，说明镜像超过 4 KB 链接区域。 缺少 bin2h.exe：若 bin_project/tools/bin2h.exe 不存在，生成 fls_drv_bin_data.h 的构建后步骤将失败。 中断/cache：若 ISR 可能访问被操作的 Flash 区域，请在擦除/编程期间屏蔽中断；建议在 Flash 操作前禁用 cache。 BootSwap：仅在芯片支持时调用，且仅在具备已验证恢复路径的流程中使用。 不建议将驱动作为常驻可执行内容持久保存：函数表中保存的是基于 FLS_DRV_BASE_ADDR 解析的相对偏移。建议仅在需要执行 Flash 操作时，将镜像加载到受控的 SRAM 地址，并在调用任何擦除/编程 API 前校验基址和 FLASH_DRV_GetVersion()。若基址错误、镜像损坏或程序异常跑飞，可能解析到错误的函数地址，进而造成 Flash 误擦除或误编程。

提示： 请在使用前，仔细阅读项目根目录下的 README 文档，以获取完整的环境配置与运行说明。
关于各版本的迭代细节与功能变更，敬请参阅 CHANGELOG 文件。

相关链接：

https://forum.ytmicro.com/topic/164/ytm32mc03-有没有ram-flashdriver的案例-做boot用的?_=1767074645275

工程下载：

flash_driver_bin-v1.1.1-20260814.zip

MCU: YTM32B1LE05
As reference on RM, we have Dflash
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As Fee demo SW is created for the end of PFlash memory
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Could we adapted it for DFlash memory?

版本：

Config Tool Version：2.7.6
MC03 SDK version：1.3.1

前言：

有硬件ABswap后FEE历史数据保持的需求。由于YTM32B1MC系列MCU⽆内置EEPROM，故对需要使⽤EERPOM的应⽤场景可通过DFlash及软件模拟实现EEPROM功能。
本⽂简述云途YTM32B1MCx系列的硬件ABSwap原理和FEE历史数据保持实现过程和使用方法。

1. BOOT_INFO寄存器

不同型号的芯片描述不一样，MC03描述如下：
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ME05描述如下：
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简单来说，BOOT_INFO寄存器可以用来判断程序是从PFLASH0还是PFLASH1启动。

2. MC03_AB_Swap-地址重映射

如下图为MC的AB_Swap地址重映射流程说明。
当STS[BOOT_INFO]=O时执行BOOT_SWAP命令，然后复位EFM，STS[BOOT_INFO]将置为1，地址将重新映射：
1.P_Flash0的Soc地址重映射到P_Flash1时，D_Flash0的Soc地址重映射到D_Flash1。
2.P_Flash1的Soc地址重映射到P_Flash0时，D_Flash1的Soc地址重映射到D_Flash0。
当 STS[BOOT_INFO]=1时执行BOOT_SWAP 命令，然后复位EFM将切换回地址映射并清除STS[BOOT_INFO]标志。
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3. FEE数据搬运

如下图为各个FLASH区域之间支持边读边写的关系。
1.异步访问：因为P_Flash0,D_Flash0在同一个FLASH块，P_Flash1,D_Flash1在同一个FLASH块。所以P_Flash0对D_Flash1支持边读边写，P_Flash1对D_Flash0支持边读边写，即异步访问。
2.当程序从P_Flash0启动时，建议将FEE数据存储在D_Flash1，这样在读写D_Flash1时CPU无需等待，实现异步操作。反之亦然。
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如下图为MC的AB_Swap流程图。
当程序从A区（P_Flash0）切换到B区（P_Flash1）时，如果想用相同的FEE配置去读写FEE，就需要在AB_Swap之前将D_Flash1的内容copy到D_Flash0。因为D_Flash的地址也会重映射。
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4. 示例程序 基于MC03 Demo板，启用Ptmr（用于定时AB_Swap），FLASH，FEE，UART（便于调试）。 A,B区程序仅LED灯点亮部分代码不同，其他配置一样，A区亮蓝灯，B区亮绿灯。 程序每1秒（Ptmr定时）进行一次AB_Swap，A,B区灯交替点亮。 A,B区程序都会对FEE进行写读操作，并进行读写校验。
1.FEE配置
配置了3个BLOCK,每个BLOCK128字节.
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FEE_Task：
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写入的FEE信息和数据：
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2.读写校验和D_Flash copy后的数据检验
将写入FEE和读取的数据进行检验，如果不相等程序会卡死。
将D_Flash copy后的数据检验,不通过则设置标志位verify_nok_flag，不执行AB_Swap。
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3.AB_Swap逻辑
ptmr定时每1秒触发一次FEE_Task，D_Flash copy检验则执行AB_Swap。
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76777631-3f70-4552-8a51-3a10706861f7-image.png 5. 实测验证（操作步骤） 擦除芯片
353f24d4-6230-437a-8cdb-1930baeb8968-image.png 下载A区bin程序到地址0
9afc8bdf-e899-4cd6-b8d7-8dd1db87ab70-image.png 下载B区bin程序到地址0x20000（A,B程序仅LED灯点亮配置不一样）
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4.复位运行程序，一秒进行一次AB_Swap，同时开发板LED灯交替点亮
4661830f-ac8b-4f92-b489-71a41326ad43-image.png 6.压力测试 定义一个AB区共享的变量，用于记录连续AC_Swap次数。 因为MC03没有REGFILE寄存器（掉电保持），要实现AB区的变量共享除了retention_ram以外可以参考下面这个方法。 定义一个不会重复初始化的变量ABSwapCount，用于记录AB_Swap的次数，并将这个变量作为参考值写入FEE的3个BLOCK。 测试ABSwap 10000次保证程序正常运行。 配置
在RAM段分一个POR_ONLY区，定义POR_ONLY（上电才会初始化）（AB区程序相同配置）
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同时将其上电初始化的值由0x5A改为0：
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清除上电复位标志位，这样软件复位就不会初始化POR_ONLY段
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定义AB_Swap计数变量，记录Swap的次数，并在AB_Swap之前++
5cb3d73a-5d1e-480a-9e78-a5390bcf753b-image.png
在FEE_Task中将ABSwapCount作为参考值写入FEE的3个BLOCK,读取后打印ABSwapCount。
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6a433647-b9a6-4afd-b40a-8f832feead00-image.png 测试
测试步骤参考上面的方法，重启复位，程序每1秒进行一次AB_Swap，LED交替点亮，串口打印：
29721344-f0ba-4b78-9432-f5fe279dda52-image.png 7.工程：

AB_Swap_MC03.zip

请问有没有不适用串口中断，while轮询的串口DEMO。

关于功能安全库初始化，要求上电初始化时间为100ms，目前发现cortst检测失败卡在里面的while，耗时大概250毫秒左右，导致我的初始化时间达到325ms左右，我把cortst_startuptest_run关掉就正常，请问这是有哪些原因导致卡在while里面？排查方向有哪些？

本来想实现硬件的 但是看了下原理 我的bootloader+app1已经超了PFLASH0 128KB啦。
0x0000_0000 ~ 0x0001_17FF 0x11800 Bootloader（含 IVT）
0x0001_1800 ~ 0x0002_7FFF 0x16800 APP_A 运行区
0x0002_8000 ~ 0x0003_E7FF 0x16800 APP_B 升级缓冲区
0x0003_E800 ~ 0x0003_E9FF 0x200 APP_A appinfo
0x0003_EA00 ~ 0x0003_EBFF 0x200 APP_B appinfo
0x0003_EC00 ~ 0x0003_FFFF 0x1400 保留/扩展区

YTM32B1MC03H0MFMR 做FOTA 硬件AB分区；还需要软件的bootloader吗？是不是可以去掉bootloader

我正在使用YTM32B1MD1系列的ADC采样6EDL7141的运放输出,其手册上的推荐电容为1nF左右.
由于运放输出电流推不动adc引脚上挂的电容.
导致出现采样固定电压,会出现缓慢下降(外部电容过小),或者采样值缓慢上升(外部电容过大).
请问这种有办法解决么?已经参考过论坛内的ADC文档了.
更换为MD24会有改善么?

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请问有没有MCAL的b1me05的Systick，1ms定时中断的demo，我这边需要配置参考一下，谢谢

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使用如图的MCU型号(YTM32B1MD1),然后使用Secure Boot功能产出的newFw-0x4000档案的BVT表中的CMAC数值是算错的,我用JLINK单步执行,发现假如Encrypted flag勾选的话,程序在Section Config 加密后的解密就不对了,然后不勾后就可以往下跑到CMAC的验证,但结果还是错误(程序卡死在Secure Boot),但我用直接用写入的钥用软件算出CMAC值直接复写到BVT表中,就可以跳转到预期的BOOTLOAD中,我认为是YT Config Tool 转换的加密Section Config和CMAC的程序根本不是用YTM32B1MD14这颗MCU去作动的(但我的YT Config Tool device是选对的,如上图所示),请问是那出问题了吗?