[LE1]咨询一下FEE擦除逻辑
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背景：我使用的是YTM32B1LE1，采用最新版SDK（1_3_1）。
目前FEE模块配置为每Sector0x200长度，2个Sector为1个Cluster，对应的Block长度为136Bytes。
但是我发现每五次写入此Block时，写入时间会比常规情况下多5-6ms。理论上，每个Block长度136Byte，加上FEE的前后封装32Byte，应是168Byte，写入3次就是504Byte，刚好比0x200(512)小一点。
第4次写入应该是在第二个Block上，而第5次写入则为第2个Block的中段。我的猜想为：在第5次尝试写入时，FEE模块发现有第4次的数据，即使第5次写入错误，也可以重新读取第4次的数据，此时可以擦除第1个Block。但是这个理论推算出来应该是每3次写入会去擦除另一个Block。
麻烦各位大佬为我讲解一下FEE的擦除逻辑，什么时候去擦除？感谢！
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不知道你是同步还是异步,如果是同步，要参考下面这篇文章改一下底层：
https://forum.ytmicro.com/topic/556/ytm32b1mc0-sdk-1_3_1版本fee配置同步-写入一部分数据后-无法写入问题?_=1752740215512，SDK1.3.1以前的版本需要参考这个帖子修改一下。
FEE的翻页逻辑：在写入Block数据时，如果剩余空间满足 Block数据（136B） + Block信息（32B） + 间隔（32B） = 200B，就可以写入；不满足就会翻页，写入下一个Cluster，会执行擦除。 -
Derrick yt0503 两位大佬，抱歉打扰了。我继续调查发现了每五次写入时时间会变长的原因。我在断电时会先后写入两个Block： Block1长度为32Byte，Block2长度为136Byte。对应的Sector，Cluster配置都一样，Block1对应的Sector为0x400-0x5FF, 0x600-0x7FF; Block2对应的Sector为0xC00-0xDFF,0xE00-0xFFF. 接下来就是奇怪的点了，按我们计算，每个Sector可以保存2个Block2或者7个Block1。但实际测出来每个Sector只能保存1个Block2或者4个Block1. 即每次检测到断电，Block2写入前都会去执行一次擦除，而每第五次，回去执行一次Block1对应Sector的擦除。也就导致了我最前面提到的每五次时间会变长。
我现在不清楚为何实际存储次数会和理论值差别这么大，很奇怪。
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对于你Block2(size 136byte)来说，cluster长度512byte太小了。理论计算就只能写入两次数据。除了前两次写入，后面每次写入都在翻页，我们在新的cluster中都会拷贝一次Block的历史最新数据到翻页后的cluster中，也就是说，你每次写入都把后面新的cluster写满了，所以除了前两次后面每次Block2写入都在翻页。
Fee cluster 翻页的机制如下：在NvM请求数据写入时，根据Block ID查询所属Cluster Group的空闲地址，并判断该地址所属Cluster空闲空间能否满足本次写入，若满足则调用Flash driver写入数据；若不满足，则根据Cluster Group配置查询下一个可写的Cluster并擦除，然后将当前Cluster Group中所有Block的最新数据搬移至该新的Cluster中，搬移完成后再写入本次需要写入的Block数据。 -
houjun_xiao 那关于Block1呢，理论上512B - 32Cluster间隔 = 480B， 每个Block1长度为32B+32B = 64B, 即 480/64 = 7.5, 即7次，就算加上翻页后copy的一次，也还能写入6次。 但为何每第五次写入需要去擦除另一个Sector呢？
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houjun_xiao 感谢分享，我的FEE配置中没有预留区域。另外，我这里单独打断点发现以下数据：
在写Block1的时候，先打断点在Fee_Write（），断点到达后，再打断点在Fls_Write(), 观察第一次停下时TargetAddress的值，之后暂时关闭断点继续运行。
反复尝试，发现接连几次运行下来，TargetAddress的值分别为：0x600, 0x660, 0x6C0, 0x6E0. 再下一次运行就会跳转到0x400的Sector了。目前下来唯一不清楚的就是这个问题，为何只能写入四次，每第五次尝试写入会换页
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方便的话，你可以把Fls中写的数据截图我们看一下，调试memory窗口查看Fee写入的原始数据：
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