[LE1]咨询一下FEE擦除逻辑

[pengh1994]

Derrick 不好意思再请教一下，间隔的32B是每一个Block都有吗，还是每一个Sector/Cluster只有一个？

[Derrick]

pengh1994 只有Cluster会有

[pengh1994]

Derrick yt0503 两位大佬，抱歉打扰了。我继续调查发现了每五次写入时时间会变长的原因。我在断电时会先后写入两个Block： Block1长度为32Byte，Block2长度为136Byte。对应的Sector，Cluster配置都一样，Block1对应的Sector为0x400-0x5FF, 0x600-0x7FF; Block2对应的Sector为0xC00-0xDFF,0xE00-0xFFF. 接下来就是奇怪的点了，按我们计算，每个Sector可以保存2个Block2或者7个Block1。但实际测出来每个Sector只能保存1个Block2或者4个Block1. 即每次检测到断电，Block2写入前都会去执行一次擦除，而每第五次，回去执行一次Block1对应Sector的擦除。也就导致了我最前面提到的每五次时间会变长。

我现在不清楚为何实际存储次数会和理论值差别这么大，很奇怪。

[houjun_xiao]

对于你Block2(size 136byte)来说，cluster长度512byte太小了。理论计算就只能写入两次数据。除了前两次写入，后面每次写入都在翻页，我们在新的cluster中都会拷贝一次Block的历史最新数据到翻页后的cluster中，也就是说，你每次写入都把后面新的cluster写满了，所以除了前两次后面每次Block2写入都在翻页。
Fee cluster 翻页的机制如下：在NvM请求数据写入时，根据Block ID查询所属Cluster Group的空闲地址，并判断该地址所属Cluster空闲空间能否满足本次写入，若满足则调用Flash driver写入数据；若不满足，则根据Cluster Group配置查询下一个可写的Cluster并擦除，然后将当前Cluster Group中所有Block的最新数据搬移至该新的Cluster中，搬移完成后再写入本次需要写入的Block数据。

[pengh1994]

houjun_xiao 那关于Block1呢，理论上512B - 32Cluster间隔 = 480B， 每个Block1长度为32B+32B = 64B, 即 480/64 = 7.5, 即7次，就算加上翻页后copy的一次，也还能写入6次。 但为何每第五次写入需要去擦除另一个Sector呢？

[Derrick]

pengh1994 是全擦除写的吗？按照计算全擦的情况下应该能写7次。第八次会换页
32 （CLuster信息头）+ 64*7 （7次Block数据） + 32 （间隔） = 512Byte

[YQH]

pengh1994 建议先擦除全片，在你的调试工程中调用写入操作后，在调用Fee_MainFunction函数的位置打断点，每单步执行一次同时观测下memory窗口对应flash地址写入的数据。这样会比较清楚
结合这个文档一起看下：YTM32系列Fee模块介绍.pdf

[houjun_xiao]

Fee cluster的存储结构如下：

这个结构决定我们在写入数据时需要Block Header与Block Data区域之间需要32byte的全FF间隔。因此实际写入的空间为512-32-32。另外你需要确认一下，你的配置里面是否有预留区域，可以看一下cluster group：

[pengh1994]

houjun_xiao 感谢分享，我的FEE配置中没有预留区域。另外，我这里单独打断点发现以下数据：
在写Block1的时候，先打断点在Fee_Write（），断点到达后，再打断点在Fls_Write(), 观察第一次停下时TargetAddress的值，之后暂时关闭断点继续运行。

反复尝试，发现接连几次运行下来，TargetAddress的值分别为：0x600, 0x660, 0x6C0, 0x6E0. 再下一次运行就会跳转到0x400的Sector了。

目前下来唯一不清楚的就是这个问题，为何只能写入四次，每第五次尝试写入会换页

[Derrick]

pengh1994 你有空拉个会，我们来看下

[houjun_xiao]

方便的话，你可以把Fls中写的数据截图我们看一下，调试memory窗口查看Fee写入的原始数据：