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LE15_lin_uds_log.zip xuzichong

默认开启状态与上电初始化处理情况RAM ECC 默认由硬件自动开启，上电后 RAM 内数值随机，必然存在 ECC 错误，如果不完成初始化，执行读操作或者单字节写操作都会触发 ECC 错误 。SDK 默认在启动流程中已经实现了 ECC RAM 的全范围初始化。
ECC 完整工作流程与软硬件分工
写入生成 ECC：硬件自动在写入 RAM 数据时同步生成并存储对应的 ECC 校验位，软件仅需正常执行写操作完成 RAM 初始化即可。
读取校验：硬件在读取 RAM 数据时自动对读出的数据 + 校验位重新计算校验值，自动区分可纠正的单比特错误和不可纠正的多比特错误，整个校验过程完全由硬件完成，软件无需介入 。
单比特纠错及回写：检测到单比特可纠正错误后，硬件自动完成数据纠错并将正确的数值回写到 RAM 中，同时置位对应的错误标志位，整个纠错和回写流程由硬件自动执行 。
软件参与的环节：仅需完成 RAM 全范围初始化、ECC 自检配置、错误标志查询 / 中断处理、错误上报和故障处置，不需要参与 ECC 的计算、校验、纠错的底层逻辑 。
双比特错误的触发路径与软件处置方式
触发路径：双比特不可纠正错误会同时触发 EMU 中断，且会接管 HardFault 异常路径 。
软件处置步骤：
预先完成 ECC 错误中断和 HardFault 处理函数的注册，配置工具中可安装并勾选Utility flash ecc；

记录故障地址（EFM->ECCERR_ADDR，ecc callback中添加软复位；
完成故障记录、错误上报等安全处理后，清除对应的 ECC 错误标志位。
清除标志后的硬件行为：错误标志被清除后，硬件会停止上报该次 ECC 错误，恢复正常的 RAM 读写操作，后续对该地址的合法读写会重新生成正确的 ECC 校验位，不会再重复触发该错误告警 。

nguyph18 Yes, if 2K is enough.

image.png使用的这里提供的LE0 flashdriver

同问，设置81.25%，实际74%左右，YTM32HA
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李富贵 使用正常的上电方式及时是不用外部晶振也会出现，把时钟树的外部晶振禁掉也会出现hardfault
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请问这个电路，通电瞬间，5V会有40us左右电压稳不住，电压到8V左右，串联电阻5.7K到IO口，IO口处于高阻态，会对IO口有损伤吗
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这个和YCT没有关系，检测一下vscode里面的配置

按下述思路进行排查
1 1002 reset 前 App 是否等 FEE 写完成；
2 Boot/App 的 FEE 配置是否完全一致；
3 DefaultISR 里的实际中断号是多少。

FengJialu 改一下吧