YTM32B1MD1 和 YTM32B1ME0 非对齐访问Flash地址，可能会发生UNALIGNED UsageFault。

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问题描述

YTM32B1MD1 和 YTM32B1ME0 是Cortex-M33的内核，是支持非对齐访问Flash的。
但由于SystemInit() 中MPU配置错误的问题导致，有概率（1/16）在某次上电后出现：非对齐访问Flash地址时发生UNALIGNED UsageFault，被force为HardFault。

存在问题的SDK版本

1_2_0
1_2_1
1_3_0
1_3_1
PS：YTM32B1MD1 和 YTM32B1ME0 1_3_1 版本可以安装HOTFIX001 进行该问题修复

问题分析

在47行，ARM_MPU_SetMemAttr初始化的Attr index是“0”，而在40（或 43行）其配置的Flash地址范围的MPU的Attr引用的index是 “7”。
index 7的Attr其实是没有被进行初始化过的，ARM内核中MPU的寄存器在上电后的值都是随机的，因此Flash地址范围的MPU指定的attr其实是随机值。

当某次上电，其值刚好被随机为：MAIR_ATTR[7:4] == 0时，属性就是device memory。
这样就不支持该MPU保护的地址非对齐访问了。因此也可以计算出其上电后出现的概率为1/16。
https://developer.arm.com/documentation/100235/0100/The-Cortex-M33-Peripherals/Security-Attribution-and--Memory-Protection/MPU-Memory-Attribute-Indirection-Registers-0-and-1

https://developer.arm.com/documentation/100230/0004/appendices/unpredictable-behaviors/memory-access-and-address-space?lang=en

问题确认

由于该问题是上电概率性（1/16）发生。
因此如果要确定代码中是否存在非对齐访问Flash的情况，需要固定发生条件使其百分百必现：

可以在main函数中配置“MPU->MAIR1 &= 0x0FFFFFFF;” 再进行测试，看能否产生 UNALIGNED UsageFault。
或者ozone attach后直接修改MPU_MAIR1寄存器为0后，进行测试。

解决方法

将40行和43行的“7UL” 改为 “0UL”，正确初始化即可。

测试例程

YTM32B1MD1_Unaligned_Access_Demo.zip

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