run 非常感谢您的回复，我让客户试试

Os_memmap.h 开头里面加

#ifdef MEMMAP_ERROR #undef MEMMAP_ERROR #endif

把工程下面的.vscode目录删掉重新生成即可。

MCU内部支持自动增益调节，会维持震荡幅值，幅值不会随温度升高而变小的，MCU内部有反馈电阻，电路图中R335实际可以不接，可以确认实际硬件是否为NC

qinhongkui
可以使用这个api eTMR_DRV_GetCntVal()，在etmr_hw_access.c里面

busoff的中断要看ESR1的BOFFINT标志位
image.png
如果要产生Bus Off Done Interrupt需要使能CAN_CTRL2.BOFFDONEMSK
d25e0669-d846-4737-8bcd-25ff5099733a-image.png

Lin_GoToSleepInternal有这个函数

检查底层函数发现获取ETMR频率时出现了一个固定的1M，这是干什么用的？
a489ea00450176c0f888eed7b12104f.png

138d4cb0-c0ac-45d2-a3a1-53bfa1b143c2-c45c9ab609907e128a9ee4985564226.png

客户做过disable jtag的操作吗

还有确保yt-link DATA_FLASH 和 DATA_RAM 有同样的对齐配置，
image.png
image.png

看map文件，你们的对应配置都是4。：
size(block DATA_RAM_block) = 9'456 (0x24f0)
size(block DATA_RAM_rom_block) = 9'452 (0x24ec)

"TEXT_DATA_RAM_rom": 0x24ec DATA_RAM_rom_block 0x1'b9f4 0x24ec <Block> DATA_RAM_rom_start_section uninit 0x1'b9f4 0x0 <internal module> data_rom 0x1'b9f4 0x24ec <Block> Initializer bytes const 0x1'b9f4 0x24ec <for data-1> (used: 0x0) DATA_RAM_rom_end_section uninit 0x1'dee0 0x0 <internal module> - 0x1'dee0 0x24ec "RAM_DATA_RAM": 0x24f0 DATA_RAM_block 0x1fff'1cfc 0x24f0 <Block> DATA_RAM_start_section uninit 0x1fff'1cfc 0x0 <internal module> data_region_start_section uninit 0x1fff'1cfc 0x0 <internal module> data 0x1fff'1d00 0x24ec <Block> data-1 0x1fff'1d00 0x24ea <Init block>

问题应该是：
DATA_RAM_start_section = 0x1fff'1cfc
但是时间数据开始是从0x1fff'1d00开始的，差了4个字节。

可能你们data数据加了一些强制对齐的操作。
解决方法：
修改yt-link，把对齐从4改为16，再试试。

问题已解决：把settings文件删掉重新生成

好的，目前问题已解决

把R9、R20和R21去掉,电流基本OK

李工，您好：
测试机台扫描了芯片，发现这颗芯片晶振管脚测试Leakage Fail了，晶振脚存在漏电现象。
取下寄过来板子的晶振后，在其底部发现了有个焊丝将晶振短路了。
推测可能是长时间的短路造成了晶振管脚硬件损伤漏电了。

image.png

Jacky_tan
YTM32B1MD14 ADC 一次转换最多只能转换8个通道，如果要使用 16 通道，可在转换完成一次 8 通道序列后，修改 DMA 配置，修改序列配置，以转换第二次 8 通道序列。

代码如下图
9255d6b2-cc5e-415d-96b8-250961b5bb13-image.png

结果如图
5e546afa-e7ed-4a3c-9b36-e1b2dc3a10ac-image.png

测试可以正常工作，谢谢，已经share给客户了。

PWM上升沿/下降沿的耗时很短的，如果外部没有电容，基本可以认为就几个时钟周期，如果想做斜率控制，MCU还没法实现