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Questions about YTM32B1L seires
OK这个PDF当时没找到
YTM32B1LE14 没有 QFN48 这款型号,后续会更新 YCT 里的型号表 image.png
1、该芯片支持SWD调试; 2、是这个脚配置为其他功能时会起不到复位功能; 3、SWDCLK,DIO,RESET脚默认是调试功能,不用配置,这里是怕你选错功能提示你而已,选为调试功能不影响正常调试;
贯彻了两位原厂老师的意见,完美解决standby低功耗问题。
总结几点: 1- 唤醒源一定要使能中断,唤醒后在中断回调函数中加代码无效(好像是)。
2- 进入低功耗前需关闭看门狗,或YTC中WDG不启用低功耗使能。
3- uart重新定义为io口模式,使能中断,唤醒后系统复位重启。
4- lpTimer定期唤醒,重置进入低功耗参数,避免万一的开不了机。
5- 唤醒源区分,如果唤醒后发现uart的rx引脚为低,则做开机处理,否则继续睡觉。
那可以是芯片上电直接进入休眠了,参考下https://yt-micro.feishu.cn/wiki/wikcnTMwWKoFkbWkkfMIRNhXZKf解锁
通过PAD引脚上输入时钟信号,通常不这样用
yt0503 产品板子没有使用外部晶振
可以参考一下文档的 3.5章节-接收滤波器Filter AN_0019_YTM32_FlexCAN_Introduction_zh.pdf
image.png You can use the FLASH_DRV_Program interface to operate the D-Flash.
芯片跑起来以后用万用表实测一下,或者参考DS里面的功耗表。不同模块的功耗是不一样的,需要结合实际情况。
maple613258 你的板子上应该没有晶振,所以要disable掉
Derrick 这样评估确实太极限,每次写入最长block size以后,再写其他任何block都会触发翻页,这样FEE的目的根本就没有起到作用。FEE是想通过多次写入一次擦除来增加FLASH数据的写入次数,如果都采用这种极限的配置,那么就基本没有起到这个作用。这个大小关系还是需要结合用户数据特性,能够接受的翻页时间,寿命等权衡。
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目前OTA过程中又出现多例程序异常,麻烦帮忙看看,感谢@run d5342f50-7772-4fad-966e-9f184f954ffc-cbd5ebea80700b672811b79cba916341.jpg
这个选项是加在linker里
方便的话,你可以把Fls中写的数据截图我们看一下,调试memory窗口查看Fee写入的原始数据:
image.png
mc 设置顺序很明确了,1....2...3...4... 按这个整理一下。
image.png在这个位置下拉的debug configuration添加.svd文件可以直接查看寄存器
可以在休眠前将RX管脚设为GPIO中断,standby支持GPIO中断唤醒;在唤醒后,再将管脚设为UART RX复用可实现。
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