ME05 GPIO耐压

[kid_li]

YTM32B1ME05进行破坏性测试，要确定GPIO极限耐压值，请问贵司有实际测试数据作为实验指导吗？

[xianghan]

芯片支持的耐压值就是DS手册提供的，DS支持的范围即是芯片可以保证的，至于瞬态的高压会不会打坏芯片，受个体差异和测试工况影响较大，没有量产意义。

[kid_li]

[kid_li]

对的，Datasheet如上描述，看起来应该是有做过原始的测试吧？有没有可能找出来参考下，以便客户做类似的测试呢？

[xianghan]

如截图

[kid_li]

绿色框应该是指Supply=5.8V可以工作60秒，超过10小时异常吧？

Vio范围是-0.3V到Vdd+0.3V；
在关闭LVD情况下，假如VDD（持续100mS）为4V，那么如果外部给IO口一个5.5V的电压会如何呢？更甚，如果Vdd为3V，外部给一个6V，会不会损坏呢？

[kid_li]

按理说如上情况IO口的钳位二极管会导通，瞬间电流很大，会不会烧断band？残渣有没有可能造成永久短路呢？

[xianghan]

Supply=5.8V可以工作60秒；
Supply=5.8V 拉住RESET脚，芯片不工作，可以10小时；

芯片IO需要限流，否则有可能烧毁芯片