pflash0的擦写

[Xgq]

使用MC0进行BOOT升级，运行区的代码在pflash0中的0XA000-0X19000,boot程序在0X0-0XA000,升级程序保存在0X23000-0X3C000
问题：开启了写使能和取消写保护，对pflash0还是写不进去，pflash1的可以正常写入，为什么？

[major]

Program PFlash0需要采用同步模式，并且关闭中断的方式

[major]

Flash控制器对同一个Block不支持RWW操作，所以程序位于PFlash0，然后Program PFlash0需要采用同步模式，并且关闭中断的方式，而对应PFlash1则不需要（两个Block支持RWW操作）另外ADDR_PROT对应Bit为0表示保护，为1则表示正常读写，从你的代码上看是只允许PFlash0前40K允许擦写，大于40K的就被保护起来了，和你的代码划分区域是不符合的。

[Xgq]

major EFM->ADDR_PROT[0] = (~0x3FF); 写入这个值之后，会出现复位重启现象

[major]

Program PFlash0需要采用同步模式，并且关闭中断的方式

[Xgq]

major 这样配置？

[major]

是的，如果复位的话，看一下复位原因，在RCU->RSSR寄存器，如果是Lockup复位则说明RWW异常

[Xgq]

major 好的，解决了，谢谢

[风清扬]

major 你在帖子中写到的，程序位于PFlash0，然后Program PFlash0需要采用同步模式，并且关闭中断的方式，这个有具体的参考帖子或者代码吗？我现在就有程序运行在PFlash0，然后需要对PFlash0进行Program操作