YTM32MC03 芯片Flash操作问题

[SoJiHong]

YTM32MC03 芯片的2块DFLASH 和两块PFLASH是物理分区还是逻辑分区？是否有Memory Map？YTM32MC03物理上是几个块呢？
RWW指的是在执行当前区域的时候可以读取另一个区域。那么是否如果支持RWW的情况下我擦除写入Flash不需要禁用中断和开启中断。比如在bank1执行program函数去操作bank2（读取bank1操作bank2）？
这个禁用和开启中断是为了解决单分区Flash调用sdk实现flash的擦除写入吗？是否也可以使用将sdk的擦除写入函数下载到ram，然后在ram调用flash驱动，去实现功能？
如果支持RWW的芯片是否如果想要在单bank调用sdk实现flash的擦除写入，也可以使用关闭中断和禁用中断的方式实现。

[车友车行]

1. YTM32MC03物理上只有两块flash，DFlash是从PFlash上划分出来的区域，DFlash0和PFlash0是同一块flash，DFlash1和PFlash1是同一块flash
2. 如果bank1执行program bank2可以不需要关闭全局中断，若是单bank则需要关闭全局中断
3. 可以把flashdriver下载到ram中运行

[SoJiHong]

车友车行 bank1（0x0-0x20000）bank2(0x20000-0x40000)
如果我的boot在0x0-0x10000，app从0x10000开始。
通过把flash 驱动下载到ram，然后用ram操作flash，能否解决同bank擦写需要禁用中断的问题。比如我ota要在boot程序往0x10000写入app固件，是否还是需要禁用中断-写flash-开中断的方式。

[车友车行]

只要你正在执行的代码和被擦写的代码属于同一个block就必须禁用中断，跟flashdriver在哪里没关系

[SoJiHong]

车友车行 有个问题麻烦再帮忙解答一下。单bank擦写flash。一般的流程是
_disable_irq();
Flash_Erase();
_enable_irq();

代码一般在Flash执行（CPU通过PC在Flash取值），但执行擦除或者Program Flash的操作就会进入Flash busy。那么这时候代码在哪里执行的呢（Flash Busy再继续往Flash取值的话是不是会卡死）？为什么开关中断能做到操作单bank擦写。可以详细说说这个过程中CPU到底做了什么？