YTM32B1ME0 如何擦除程序运行所在的FLASH？

[fz]

问题：
根据手册描述有两个Flash区域，程序运行在Pflash0，现在需要在Pflash0的尾部（比如0x70000地址）擦除和写入数据，会失败，如果擦除和写入Pflash1的数据则可以成功，如何做才能正确擦除和写入0x70000地址的FLASH数据，希望能给出示例工程？

[houjun_xiao]

你用的MCAL还是SDK呢，能否展示一下你的操作代码呢?如果擦除自己代码所在的bank,首先只能采用同步模式进行操作，其次需要确保你操作的0x70000所在的位置是空置 区域。

[fz]

用的SDK，操作的区域是空白区域，采用的是同步模式，不知道为什么，相同的操作可以写Pflash1就是操作不了Pflash0，其他人有没有遇到相同问题？

[major]

操作过程有没有关中断，对相同分区的操作最好关闭全局中断

[houjun_xiao]

方便展示一下你的操作的代码不?

[major]

flash_user_config_t FlashInitConfig = {
    .async = false,          /* Sync mode, wait erase/program done */
    .disGlobalInt = true,    /* Disable global interrupt during flash operation for sync mode */
    .readVerify = true,      /* Enable read verify after erase or program by the hardware automatically */
    .callback = NULL,
};

注意：.disGlobalInt = true,

[fz]

major 感谢支持，问题关闭，确实如楼上讲的中断没有关闭，关闭中断后问题解决