YTM32B1ME15 MCAL 0.8.0：EEPROM ECC 错误处理

xiangyu

环境：
YTM32B1ME15；
Yuntu MCAL 0.8.0；

1、问题

EEPROM 单比特 ECC 错误可由硬件纠正；双比特错误不可纠正，实测读取时会触发精确 BusFault，且先于 EEPROM 中断处理。仅在 EEPROM_IRQHandler 中处理，会因故障指令反复执行而升级为 HardFault。

MCAL 0.8.0 的 Eep 驱动提供 ECC 中断使能接口，但未实现完整的错误处理和日志记录。

2、处理方案

示例在应用层实现：

单比特：在 EEPROM 中断中记录错误地址、计数等信息并清除标志，数据由硬件纠正。
双比特：通过 RAM 向量表接管 BusFault，识别 EEPROM 不可纠正错误，按 Thumb-2 指令长度跳过故障读取指令，记录错误，并将错误地址按 4 字节对齐后擦除对应字。
前提：启动代码已将向量表复制到 RAM；示例在初始化时安装 BusFault 处理函数。

3、验证结果

实板测试中，正常读写、单比特纠错、双比特检测及后续重写恢复四步均通过：Eep_EccStepResult=0x01010101，Eep_EccTestFailCnt=0。双比特错误地址为 0x02000040，程序未再出现 BusFault 升级为 HardFault。

5、注意事项

跳过故障加载指令不会产生有效读取值。实测 Eep 作业仍可能返回 MEMIF_JOB_OK，不能仅凭作业结果判断数据有效。
擦除会破坏整个 4 字节字的数据，需由应用恢复；示例未向上层报告擦除超时或命令失败，且异常上下文操作 EEPROM 可能与 Eep 作业竞争。量产前须结合芯片手册验证失败处理及数据恢复。
错误注入仅用于测试，测试会写入并擦除 EEPROM 测试区域。

6、代码实现

6.1 初始化

main.c 初始化 MCU 时钟，随后 Board_Init 调用 Platform_Init、Fls_Init、Eep_Init 和 Eep_EccDemoInit。启动代码须先将向量表复制到 RAM 并设置 VTOR。

IVT_RAM_start[5U] = (uint32)Eep_BusFault_Handler;
__DSB(); __ISB();
SCB->SHCSR |= SCB_SHCSR_BUSFAULTENA_Msk;
SCB->CCR |= SCB_CCR_BFHFNMIGN_Msk;
EEPROM->STS = EEPROM_STS_UNRECOVERR_MASK | EEPROM_STS_RECOVERR_MASK |
              EEPROM_STS_CMD_FAIL_MASK | EEPROM_STS_ACCERR_MASK;
EEPROM->CTRL |= EEPROM_CTRL_RECOVERRIE_MASK | EEPROM_CTRL_UNRECOVERRIE_MASK;
(void)Platform_SetIrq(EEPROM_IRQn, TRUE);

6.2 注入与读取

源码使用偏移 0x40、长度 8 字节，先写入测试数据。单比特模式为 1，双比特模式为 2，模式 0 关闭注入；Eep_EccReadJob 通过 Eep_MainFunction 等待作业完成。

EEPROM->ERR_INJECT_CTRL = EEPROM_ERR_INJECT_CTRL_ECCERR_INJ_EN(Mode) |
                          EEPROM_ERR_INJECT_CTRL_ECCERR_INJ_ADDR(Offset);
Eep_EccInject(EEP_ECC_INJ_MULTI_BIT, EEP_ECC_TEST_ADDR);
Eep_EccJobResultAfterMulti = (uint32)Eep_EccReadJob(
    EEP_ECC_TEST_ADDR, ReadBuffer, EEP_ECC_TEST_LEN);
Eep_EccInject(EEP_ECC_INJ_DISABLE, 0U);
Eep_EccPollMultiBit();

上述寄存器赋值为非零模式分支摘录。注入仅供测试，示例会写入并擦除 EEPROM 测试区域。

6.3 BusFault 处理

应用的 naked 异常入口根据 EXC_RETURN 位 2 选择 MSP 或 PSP，将堆栈指针传给 Eep_BusFaultHandlerC。当前实现使用 pStack[6] 作为保存的 PC，下面为对应 C 代码摘录。

FaultPc = pStack[6];
if (0U != (EEPROM->STS & EEPROM_STS_UNRECOVERR_MASK))
{
    if (0x1DU <= (*(volatile uint16 *)(FaultPc) >> 11U))
        InsnLen = 4U;
    else
        InsnLen = 2U;
    pStack[6] = FaultPc + InsnLen;
    Eep_EccHandleBusFault();
}
else if (TRUE == Fls_Lld_GetTwoBitEccErrFlag())
{
    pStack[6] = FaultPc + 2U;
}
SCB->CFSR = SCB_CFSR_BUSFAULTSR_Msk | SCB_CFSR_PRECISERR_Msk;

重要限制：跳过加载指令不会生成有效读取值，也不保证 Eep 作业失败。

6,4 错误记录与对齐擦除

Eep_EccHandleBusFault 读取错误地址与计数，更新日志，关闭注入并清状态后调用 Eep_EccEraseWord。以下摘录省略地址范围校验及状态清理。

ErrAddr = EEPROM->ECCERR_ADDR;
Eep_EccLog.MultiBitErrCnt++;
Eep_EccLog.LastErrAddr = ErrAddr;
Eep_EccLog.LastErrCnt = EEPROM->ECCERR_CNT & EEPROM_ECCERR_CNT_ECCERR_CNT_MASK;
Eep_EccLog.LastErrType = EEP_ECC_ERR_TYPE_MULTI;
Eep_EccLog.NotifyCnt++;
EEPROM->ERR_INJECT_CTRL = 0U;
EEPROM->STS = EEPROM_STS_UNRECOVERR_MASK;
Eep_EccEraseWord(ErrAddr);
WordAddr = HwAddr & (uint32)(~0x3U);
WordPtr = (volatile uint32 *)WordAddr;
EEPROM->CTRL |= EEPROM_CTRL_WE_MASK;
/* 源码在写入前后执行 ISB 和 DSB */
*WordPtr = 0x00000000U;
EEPROM->CTRL &= (uint32)(~EEPROM_CTRL_WE_MASK);
EEPROM->CMD_UNLOCK = EEP_ECC_CMD_UNLOCK_KEY;
EEPROM->CMD = EEP_ECC_ERASE_SECTOR_CMD;
/* 轮询 DONE 或等待超时，然后清状态 */

擦除会破坏整个对齐字的数据。当前代码未向上层报告擦除超时或命令失败，且在异常上下文直接操作 EEPROM，可能与正在进行的 Eep 作业竞争；产品化前须核对芯片手册并验证失败处理和数据恢复，不能仅凭日志认定擦除成功。

6.5 EEPROM ECC 中断

EEPROM_IRQHandler 根据 STS 处理：单比特分支记录 RECOVERR 并清标志；双比特分支临时关闭 UNRECOVERRIE，记录并调用 Eep_EccEraseWord，最后清状态并重开。双比特读取可能先进入 BusFault。
6b63415c-6681-4394-8366-8aae3e5fef6d-ME15_ECC_EccErrorHandling_Demo.zip

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