1.数据手册编程时间描述：

2.参考手册编程时间描述：

3.Flash的编程时间到底最低是多少?芯片原厂提供的SDK包里面EFM TIMING1 Register TPROG的值设置的为10，也就是5us；和数据手册对不上。

]]>https://forum.ytmicro.com/topic/2079/flash编程时间RSS for NodeWed, 01 Jul 2026 19:04:07 GMTWed, 01 Jul 2026 09:12:29 GMT60写入时间就是DS里标注的时间范围，配置TIMMING会影响整体写入时间的快慢，使用上按照推荐的值配置即可，刷写时间可以按照max进行评估

]]>https://forum.ytmicro.com/post/9009https://forum.ytmicro.com/post/9009Wed, 01 Jul 2026 10:05:18 GMTxianghan 那flash地址真实写入数据 是在按住的这段时间写 还是按住持续了5us后写入？

]]>https://forum.ytmicro.com/post/9007https://forum.ytmicro.com/post/9007Wed, 01 Jul 2026 09:52:25 GMT是的，擦除也可以这样理解

]]>https://forum.ytmicro.com/post/9006https://forum.ytmicro.com/post/9006Wed, 01 Jul 2026 09:47:14 GMTxianghan 那flash地址真实写入是在按住的这段时间写还是按住持续了5us后写入？那参考手册上的擦除也是一样的道理吗？

]]>https://forum.ytmicro.com/post/9005https://forum.ytmicro.com/post/9005Wed, 01 Jul 2026 09:45:35 GMTFlash 不是普通 RAM，不能一下子直接写进去。它写数据时，内部要给存储单元一个“电脉冲”，有点像：要把一个开关从 0 推到 1，需要按住一小会儿。
TPROG 就是在设置这个“按住多久”。
合适范围是 5us 到 6.5us
TPROG = 10 就表示按住 5us
TPROG = 13 就表示按住 6.5us

]]>https://forum.ytmicro.com/post/9003https://forum.ytmicro.com/post/9003Wed, 01 Jul 2026 09:27:20 GMTxianghan 内部写入脉冲持续时间是什么意思，是flash在有内部写入脉冲时开始写数据到Flash吗？

]]>https://forum.ytmicro.com/post/9002https://forum.ytmicro.com/post/9002Wed, 01 Jul 2026 09:25:11 GMT这个寄存器不是编程写入的时间，而是告诉 Flash 控制器：每次写入时，内部那个写入脉冲要持续多长时间

]]>https://forum.ytmicro.com/post/9001https://forum.ytmicro.com/post/9001Wed, 01 Jul 2026 09:16:34 GMT